[发明专利]显示面板上的金属层及显示面板有效
申请号: | 201880096055.3 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN112689901B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 吴焕达;张祖强 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1362;H01L51/52;B32B15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 金属 | ||
一种显示面板上的金属层(20)及显示面板,金属层(20)包括相对设置的第一框条(21)和第二框条(22)、设置在第一框条(21)和第二框条(22)之间并位于面板有效显示区内的走线部;第一框条(21)远离第二框条(22)的一侧设有至少一个输入部(23);走线部包括第一走线组(24)、第二走线组(25)和第三走线组(26);第二框条(22)包括第一连接部(221)、第二连接部(222)和第三连接部(223);第一走线组(24)连接在第一框条(21)和第一连接部(221)之间且与输入部(23)正对,第二走线组(25)连接在第一框条(21)和第二连接部(222)之间,第三走线组(26)连接在第一框条(21)和第三连接部(223)之间;第一连接部(221)和第三连接部(223)相连接,第二连接部(222)与第一连接部(221)和第三连接部(223)之间相间隔设置。金属层(20),将走线部中ELVDD最大和最小的走线组连接,提高面板内像素驱动电压均一性,改善ELVDD压降。
技术领域
本发明涉及显示屏面板技术领域,尤其涉及一种显示面板上的金属层及显示面板。
背景技术
AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)的面板采用电流驱动,在面板内存在由于电流引起的电压压降(IRDrop),使得不同区域Pixel(像素)的驱动电压ELVDD(像素驱动电压)的电压值不同。
现有的AMOLED面板上,如图1所示,SD金属层(SourceDrain Electrode)在靠近面板下边框的底部设有两个像素驱动电压输入点(ELVDD input)11,SD金属层上的AA区(有效显示区)12采用发梳状走线,SD金属层的顶部通过Shorting Bar(短路棒)13将各走线连接到一起。由于现有的上述设计,在ELVDD输入位置的上方电压压降会小于其他位置,造成面板内ELVDD均一性欠佳。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,提供一种提高面板内像素驱动电压均一性的显示面板上的金属层以及具有该金属层的显示面板。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种显示面板上的金属层,包括相对设置的第一框条和第二框条、设置在所述第一框条和第二框条之间并位于面板上有效显示区内的走线部;所述第一框条远离所述第一框条的一侧设有至少一个输入部,所述输入部形成像素驱动电压输入点;
所述走线部包括相邻设置的第一走线组、第二走线组和第三走线组;其中,第一走线组的像素驱动电压>第二走线组的像素驱动电压>第三走线组的像素驱动电压;
所述第二框条包括分别与所述第一走线组、第二走线组和第三走线组对应设置的第一连接部、第二连接部和第三连接部;所述第一走线组连接在所述第一框条和第一连接部之间且与所述输入部正对,所述第二走线组连接在所述第一框条和第二连接部之间,所述第三走线组连接在所述第一框条和第三连接部之间;所述第一连接部和第三连接部相连接,所述第二连接部与所述第一连接部和第三连接部之间相间隔设置。
本发明还提供一种显示面板,包括面板基板以及上述的金属层,所述金属层设置在所述面板基板上。
本发明的有益效果:通过对远离像素驱动电压输入点的第二框条设置,将走线部中ELVDD最大和最小的走线组连接,提高面板内像素驱动电压均一性,改善ELVDD压降。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1是现有面板上SD金属层的结构示意图;
图2是本发明第一实施例的金属层的结构示意图;
图3是本发明第二实施例的金属层的结构示意图;
图4是本发明第三实施例的金属层的结构示意图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的