[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201880094327.6 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN112236929A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 中野俊秀;铃木健治;中村宏辉 申请(专利权)人: 东芝三菱电机产业系统株式会社
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

半导体模块,具有相互反向并联地连接的开关元件以及二极管;

冷却部件,对所述半导体模块进行冷却;以及

导热部件,配置于所述半导体模块与所述冷却部件之间,将所述开关元件以及所述二极管产生的热量传递到所述冷却部件,

所述导热部件具有供所述开关元件以及所述二极管并列地搭载的搭载面,与所述搭载面相反的一侧的面与所述冷却部件相接,

在所述导热部件中,与所述搭载面平行的第一方向上的热传导率比与所述搭载面垂直的第二方向上的热传导率高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

所述导热部件具有如下关系:随着增大所述第二方向上的厚度,所述第一方向上的热阻变小,另一方面所述第二方向上的热阻变大。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,

所述导热部件的所述第二方向上的厚度,是基于根据热电路网模型导出的、所述导热部件的所述搭载面的温度与所述冷却部件的表面温度间的温度差和所述厚度的关系而被设定的厚度,所述热电路网模型的电阻阶梯具有所述第一方向上的热阻以及所述第二方向上的热阻。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,

所述导热部件的所述第二方向上的厚度,被设定为所导出的所述关系之中所述导热部件的所述搭载面的温度与所述冷却部件的表面温度间的温度差成为最小的厚度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,

所述半导体装置是通过使所述开关元件接通及断开而在直流电力以及交流电力之间进行电力转换的电力转换器。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,

所述导热部件是石墨片材。

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