[发明专利]透射型电子显微镜样品的制作方法

说明书

在透射型电子显微镜的样品的制作方法中，在从被加工体即激光二极管切出包含多量子阱有源层(4)的长方体形状的块状体(27)后，制作出在块状体(27)的上表面的相邻的角部形成有能够对表面部有源层(10)进行辨识的倾斜斜切部(5、5a、5b)的样品(24)，然后将该样品(24)薄膜化，并且以倾斜斜切部(5、5a、5b)的能够辨识的2个表面部有源层(10)为基准切出观察用样品(28)。

技术领域

本申请涉及使用透射型电子显微镜对化合物半导体的内部构造进行解析时的样品的制作方法。

背景技术

在现有的透射型电子显微镜用样品的制作方法中，在对截面TEM(TransmissionElectron Microscope)样品进行切割时，对样品的单侧进行斜切而对样品的平行状态进行确认(例如，参照专利文献1)。另外，在对平面TEM样品进行切割时，在截面形成标记而对样品的平行状态进行确认。

专利文献1：日本特开2008-070155号公报

专利文献2：日本特开2008-170225号公报

发明内容

现有的透射型电子显微镜样品制作方法仅仅是进行截面切割或平面切割。因此，存在无法通过现有的方法以半导体器件的内部的特定部位例如处于内部的有源层内的一处缺陷为目标进行切割这样的问题。

另外，在切出截面TEM(专利文献1的切割方向)或平面TEM(专利文献2的切割方向)的样品时，对于化合物半导体器件，由于以半导体间的异质构造形成了各层，因此不能够从外部直接观察到金属或绝缘膜等构造体，因此存在难以保持样品加工时的平行这样的问题。在上述现有事例中，独立地记述了截面TEM样品和平面TEM样品的制作方法，但没有提及从平面TEM加工起连续地进行截面TEM加工的情况下的办法。

本申请公开了用于解决上述那样的课题的技术，其目的在于提供用于对化合物半导体器件内的所期望的观察部位进行观察的加工方法，特别地，其目的在于提供用于在该加工时简便地对所要观察的样品进行制作的加工方法。

本申请所公开的透射型电子显微镜样品的制作方法的特征在于，包含如下工序：

从被加工体即激光二极管切出包含该激光二极管所具有的多量子阱有源层的长方体形状的块状体；

对在所述块状体的上表面的相邻的2个角部形成有相对于所述块状体的上表面倾斜的倾斜斜切部的样品进行制作；

从表面对所述样品进行加工而将所述样品薄膜化至能够观察到所述多量子阱有源层的厚度为止；以及

使用2个所述多量子阱有源层的一部分即表面部有源层，从形成了所述倾斜斜切部的样品切出柱状的观察用样品。

发明的效果

根据本申请所公开的透射型电子显微镜样品的制作方法，能够提供用于对化合物半导体器件内的所期望的观察部位进行观察的加工方法。另外，在对所期望的观察部位进行观察的加工时，能够简便地对观察用样品进行制作。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的透射型电子显微镜样品的一个例子的图。

图2是激光二极管的示意图。

图3是表示对图2的激光二极管的虚线部分进行了切割的样品的一个例子的图。

图4是表示使用FIB装置进行了SEM观察的样品的一个例子的图。

图5是表示从上表面通过FIB装置进行了倾斜斜加工的样品的一个例子的图。

图6是示出通过FIB装置从样品的侧面照射Ga离子束而进行薄膜化的情况的示意图。