[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法

说明书

在有机EL显示装置的驱动用TFT上，使用电子迁移率小的a‑Si层来解决基于激光照射不均匀性所引起的问题，并抑制颜色不均、亮度不均等。对此，配置第一导体膜(26a)和第二导体膜(25a)，使得构成漏极的第一导体膜(26a)和构成源极的第二导体膜(25a)的各自的一部分(26a1……和25a1……)沿着规定方向交替排列。

技术领域

本发明涉及一种有机EL显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，有机EL显示装置倾向于在大型电视、便携设备等中被采用。有机EL显示装置在绝缘基板上各像素的区域中，形成有使用了作为开关元件、驱动元件等的有源元件的薄膜晶体管(以下也称为TFT)的驱动电路，在该绝缘基板上各像素的有机发光元件被形成为与TFT连接的状态。作为有机EL显示装置，具有以发光元件的上面作为显示面的顶部发射型和以绝缘基板的背面作为显示面的底部发射型，在顶部发射型中，与有机发光元件的显示区域无关，在其下方形成上述的驱动电路。另一方面，在底部发射型中，驱动电路形成在显示区域的周围。因此，在形成驱动电路的空间较少的便携式设备等小型有机EL显示装置中，多采用设为顶部发射型且在显示区域的几乎整个面的下方形成TFT等驱动电路的构成。另一方面，底部发射型适用于像素间的空间稍有空余的大型电视等。

用于驱动电路的TFT半导体通过非晶硅构成的半导体的成膜而形成。然而，由于无定形硅(非晶硅：下文中也称为a-Si)的电子迁移率较小，所以在需要大量电流的情况下，通过激光的照射被制成多晶硅(LTPS)被使用。在有机EL显示装置中，由于有机发光元件(OLED)是电流驱动的，因此作为其驱动元件的TFT需要流过很多电流。因此，必须对非晶硅进行改性以形成多晶硅。

另外，当由TFT等形成驱动电路时，其表面变得凸凹。因为有机发光元件被形成在其上，所以通过用树脂材料等覆盖在驱动电路上而形成平坦化膜。通过这样，进行表面的平坦化。先前制程中，该平坦化膜在形成TFT后，形成作为势垒层的第一无机绝缘膜，通过光刻工艺形成连接上述有机发光元件和TFT的接触孔，在其上成膜感光性的有机绝缘膜，通过光刻工艺和源自湿法显影的接触孔的形成而获得。通过这样形成有机绝缘膜，由于形成TFT等而造成的表面的凸凹变得平坦化。

专利文献1公开了适合于有源矩阵型显示装置的每个像素的开关元件等的、兼具小的独占面积和优异的晶体管特性的TFT及其制造方法。这是同一结构的TFT经由通过CMP处理表面的凹凸在20nm以下的层间绝缘膜在垂直方向上，一体形成多层的TFT。即，在形成细微的TFT时，为了对应于浅的焦点深度，将层间绝缘膜的表面的平坦度设为20nm以下，而不是为了在TFT上形成有机发光元件的平坦化操作。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-11173号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

如上所述，在有机EL显示装置中，由于驱动元件上流过较大电流，因此在a-Si中不能获得充分的动作。然而，当通过激光的照射进行多晶硅化时，难以在大面积上照射均匀强度的激光。特别是近年来，随着显示装置的大型化和电子设备的价格降低，在制造阶段，一次形成多个大的母基板，其母基板的大小，例如，在液晶显示装置中，从G6(约1500mm×1850mm)开始，现在被大型化至G12，即使G10也在2850mm×3050mm左右。要在这样大型的母基板上照射激光，需要一边扫描部分的照射一边进行，但是即使是部分的照射，激光的强度也不会变得均匀，更不用说一边扫描一边进行激光照射的话，会形成非常不均匀的照射。如果激光的强度不同，多晶硅化的程度不同，即使电压相同驱动电流也不同。如果各像素的驱动电流不同的话，则亮度会因为像素而变化，存在导致亮度不均、颜色不均等的显示不均的问题。在这一点上，电流驱动的有机EL显示装置与电压驱动的液晶显示装置具有很大的不同。

进一步，在大的母基板上一边扫描一边照射激光光源的操作，成为装置上的大花费，也成为成本上升的原因。