[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL显示装置，其特征在于，

所述有机EL显示装置具备：

基板，具有表面，所述表面形成了包含薄膜晶体管的驱动电路；

平坦化膜，通过覆盖所述驱动电路并平坦化所述基板的所述表面；以及

有机发光元件，形成在所述平坦化膜的表面上，且具有与所述驱动电路连接的第一电极、形成在所述第一电极上的有机发光层以及形成在所述有机发光层上的第二电极，

所述薄膜晶体管包括栅极电极、漏极电极、源极电极以及成为所述薄膜晶体管的沟道的区域，且具有所述栅极电极、半导体层、构成与所述半导体层连接并形成的所述漏极电极的第一导体膜以及构成所述源极电极的第二导体膜的层叠结构，

所述第一导体膜和所述第二导体膜被布置成，所述第一导体膜和所述第二导体膜的各自的一部分沿规定方向交替地排列，

所述沟道是夹在邻接的所述第一导体膜的一部分和所述第二导体膜的一部分之间的所述半导体层。

2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：所述第一导体膜和所述第二导体膜分别以平面形状被形成为梳形的同时，所述第一导体膜和所述第二导体膜的各自的梳齿部分相互咬合而形成。

3.根据权利要求1或2所述的有机EL显示装置，其特征在于：在邻接的所述第一导体膜的一部分和所述第二导体膜的一部分被夹持的区域有多个，所述半导体层由非晶质半导体构成，

当将多个所述邻接的所述第一导体膜的一部分和所述第二导体膜的一部分的相对部分的长度的所述多个的总和设为W，且所述相对部分的间隔设为L时，W/L在50以上且500以下。

4.根据权利要求1～3的任意一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述发光元件的发光区域被形成为矩形形状，并且所述薄膜晶体管被形成在所述发光区域的下层，所述第一导体膜的一部分和所述第二导体膜的一部分的相对部分沿着所述矩形形状的长边形成。

5.根据权利要求1～4的任意一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述栅极电极被形成在多个所述邻接的所述第一导体膜的一部分和所述第二导体膜的一部分的相对部分的整个长度范围内。

6.根据权利要求1～5的任意一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，形成在所述薄膜晶体管上的所述平坦化膜是第一无机绝缘膜和有机绝缘膜的层叠结构，并且所述有机绝缘膜的表面以算术平均粗糙度Ra计被形成在50nm以下。

7.根据权利要求6所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述平坦化膜通过在所述有机绝缘膜上形成第二无机绝缘膜而被形成为三层结构，电性连接所述有机发光元件与所述薄膜晶体管的接触孔在所述三层结构中被统一形成。

8.一种有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，

所述有机EL显示装置的制造方法包括：

在基板上形成包含薄膜晶体管的驱动电路的工序；

在所述驱动电路的表面上形成第一无机绝缘膜和有机绝缘膜的工序；

对所述有机绝缘膜的表面进行CMP抛光的工序；

在所述有机绝缘膜和所述第一无机绝缘膜上形成到达所述薄膜晶体管的接触孔的工序；

在所述接触孔的内部嵌入金属的同时，在规定的区域形成第一电极的工序；

在所述第一电极上形成有机发光层的工序；

在所述有机发光层上形成第二电极的工序，

所述薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘膜和作为沟道的区域，并且通过所述栅极电极、非晶质的半导体层、构成与所述半导体层连接并形成的所述漏极电极的第一导体膜以及构成所述源极电极的第二导体膜的层叠结构形成，

所述第一导体膜和所述第二导体膜形成为，各自的一部分沿规定方向交替排列，

所述沟道为夹在邻接的所述第一导体膜的一部分和所述第二导体膜的一部分之间的所述半导体层。