[发明专利]磁传感器模块在审
申请号: | 201880084137.6 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN111527415A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 吉田将规;奥津吉隆;石田一裕;渡部司也;平林启;酒井正则 | 申请(专利权)人: | 旭化成微电子株式会社;TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;G01R33/09;G01R35/00;H01L43/02;H01L43/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 模块 | ||
1.一种磁传感器模块,其中,
该磁传感器模块具有:
IC芯片,其具有第1线圈、与所述第1线圈的一端相连接的第1焊盘以及与所述第1线圈的另一端相连接的第2焊盘;
磁传感器芯片,其配置于所述IC芯片的面上,具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器;
第1外部输出端子;
第1导线,其将所述第1焊盘和所述第1外部输出端子连接;
第2外部输出端子;以及
第2导线,其将所述第2焊盘和所述第2外部输出端子连接。
2.根据权利要求1所述的磁传感器模块,其中,
所述第1线圈的至少局部在所述IC芯片设于薄膜电阻值最低的金属层。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器模块,其中,
所述第1线圈的至少局部设于所述IC芯片中的最上层的金属层。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器模块,其中,
所述IC芯片还具有第2线圈,
所述第2线圈的一端与所述第1线圈的另一端相连接,
所述第2线圈的另一端与所述第2焊盘相连接,
所述第1线圈的另一端经由所述第2线圈与所述第2焊盘相连接,
所述磁传感器芯片具有检测第2轴向的磁气的第2磁传感器。
5.根据权利要求4所述的磁传感器模块,其中,
所述第2外部输出端子为接地端子。
6.根据权利要求4或5所述的磁传感器模块,其中,
所述第2线圈的至少局部在所述IC芯片设于薄膜电阻值最低的金属层。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的磁传感器模块,其中,
所述第2线圈的至少局部设于所述IC芯片中的最上层的金属层。
8.根据权利要求4~7中任一项所述的磁传感器模块,其中,
所述IC芯片还具有第3线圈、与所述第3线圈的一端相连接的第3焊盘以及与所述第3线圈的另一端相连接的第4焊盘,
所述磁传感器芯片具有检测第3轴向的磁气的第3磁传感器,
该磁传感器模块还具有:
第3外部输出端子;
第3导线,其将所述第3焊盘和所述第3外部输出端子连接;
第4外部输出端子;以及
第4导线,其将所述第4焊盘和所述第4外部输出端子连接。
9.根据权利要求8所述的磁传感器模块,其中,
所述第4外部输出端子为接地端子。
10.根据权利要求8或9所述的磁传感器模块,其中,
所述第3线圈的至少局部在所述IC芯片设于薄膜电阻值最低的金属层。
11.根据权利要求8~10中任一项所述的磁传感器模块,其中,
所述第3线圈的至少局部在所述IC芯片设于比所述第1线圈和所述第2线圈靠下层的金属层。
12.根据权利要求8~11中任一项所述的磁传感器模块,其中,
所述第1磁传感器、所述第2磁传感器以及所述第3磁传感器包括构成惠斯通电桥电路的磁阻元件。
13.根据权利要求5~12中任一项所述的磁传感器模块,其中,
所述第1磁传感器配置为,至少局部重叠于由所述第1线圈产生的磁场最大的位置,所述第2磁传感器配置为,至少局部重叠于由所述第2线圈产生的磁场最大的位置。
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