[发明专利]磁传感器模块在审

专利信息
申请号: 201880084137.6 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111527415A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 吉田将规;奥津吉隆;石田一裕;渡部司也;平林启;酒井正则 申请(专利权)人: 旭化成微电子株式会社;TDK株式会社
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/09;G01R35/00;H01L43/02;H01L43/08
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 模块
【权利要求书】:

1.一种磁传感器模块,其中,

该磁传感器模块具有:

IC芯片,其具有第1线圈、与所述第1线圈的一端相连接的第1焊盘以及与所述第1线圈的另一端相连接的第2焊盘;

磁传感器芯片,其配置于所述IC芯片的面上,具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器;

第1外部输出端子;

第1导线,其将所述第1焊盘和所述第1外部输出端子连接;

第2外部输出端子;以及

第2导线,其将所述第2焊盘和所述第2外部输出端子连接。

2.根据权利要求1所述的磁传感器模块,其中,

所述第1线圈的至少局部在所述IC芯片设于薄膜电阻值最低的金属层。

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器模块,其中,

所述第1线圈的至少局部设于所述IC芯片中的最上层的金属层。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器模块,其中,

所述IC芯片还具有第2线圈,

所述第2线圈的一端与所述第1线圈的另一端相连接,

所述第2线圈的另一端与所述第2焊盘相连接,

所述第1线圈的另一端经由所述第2线圈与所述第2焊盘相连接,

所述磁传感器芯片具有检测第2轴向的磁气的第2磁传感器。

5.根据权利要求4所述的磁传感器模块,其中,

所述第2外部输出端子为接地端子。

6.根据权利要求4或5所述的磁传感器模块,其中,

所述第2线圈的至少局部在所述IC芯片设于薄膜电阻值最低的金属层。

7.根据权利要求4~6中任一项所述的磁传感器模块,其中,

所述第2线圈的至少局部设于所述IC芯片中的最上层的金属层。

8.根据权利要求4~7中任一项所述的磁传感器模块,其中,

所述IC芯片还具有第3线圈、与所述第3线圈的一端相连接的第3焊盘以及与所述第3线圈的另一端相连接的第4焊盘,

所述磁传感器芯片具有检测第3轴向的磁气的第3磁传感器,

该磁传感器模块还具有:

第3外部输出端子;

第3导线,其将所述第3焊盘和所述第3外部输出端子连接;

第4外部输出端子;以及

第4导线,其将所述第4焊盘和所述第4外部输出端子连接。

9.根据权利要求8所述的磁传感器模块,其中,

所述第4外部输出端子为接地端子。

10.根据权利要求8或9所述的磁传感器模块,其中,

所述第3线圈的至少局部在所述IC芯片设于薄膜电阻值最低的金属层。

11.根据权利要求8~10中任一项所述的磁传感器模块,其中,

所述第3线圈的至少局部在所述IC芯片设于比所述第1线圈和所述第2线圈靠下层的金属层。

12.根据权利要求8~11中任一项所述的磁传感器模块,其中,

所述第1磁传感器、所述第2磁传感器以及所述第3磁传感器包括构成惠斯通电桥电路的磁阻元件。

13.根据权利要求5~12中任一项所述的磁传感器模块,其中,

所述第1磁传感器配置为,至少局部重叠于由所述第1线圈产生的磁场最大的位置,所述第2磁传感器配置为,至少局部重叠于由所述第2线圈产生的磁场最大的位置。

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