[发明专利]电力转换装置有效

专利信息
申请号: 201880079575.3 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN111480231B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 松冈哲矢;山平优;福岛和马;柿本规行 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01L23/495;H01L23/367;H02M7/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡曼
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电力 转换 装置
【说明书】:

一种电力转换装置,包括:至少一个第一及第二半导体装置(21、22),其具有多个第一及第二半导体芯片(41、42)和多个第一及第二主端子(71m、72m),其中,多个第一及第二半导体芯片具有构成上、下臂(11、12)的第一及第二开关元件(110、120),多个第一及第二主端子具有多个第一及第二高电位(C1、C2)和第一及第二低电位端子(E1、E2)中的至少一个;以及桥接构件(80),其与上述第一低电位端子和上述第二高电位端子一起形成上下连结部(91)。多个所述第一及第二半导体芯片相对于第一及第二轴(A1、A2)而呈线对称地配置。与所述第一低电位端子相对于所述第一高电位端子的配置不同,所述第二低电位端子相对于所述第二高电位端子的配置以所述第二轴为对称轴而呈线对称地配置。

相关申请的相互参照

本申请以2017年12月19日申请的日本专利申请2017-242698号为基础,将其记载内容纳入本文。

技术领域

本公开涉及一种电力转换装置。

背景技术

在专利文献1中公开了电力转换装置。该电力转换装置包括构成上、下臂的两种半导体装置。半导体装置的一种具有两个形成有IGBT的半导体芯片,IGBT彼此并联连接以构成上臂。半导体器件的另外一种具有两个形成有IGBT的半导体芯片,并且IGBT彼此并联连接以构成下臂。

在上述电力转换装置中,上臂侧的半导体装置分别具有一个第一高电位端子和一个第一低电位端子,以作为提供电连接功能的主端子,其中,上述第一高电位端子连接到IGBT的高电位侧的电极,上述第一低电位端子连接到IGBT的低电位侧的电极。此外,在两个半导体芯片的排列方向上,第一高电位端子偏向一方的半导体芯片侧配置,第一低电位端子偏向另一方的半导体芯片侧配置。

同样地,下臂侧的半导体装置分别具有一个第二高电位端子和一个第二低电位端子,以作为提供电连接功能的主端子,其中,上述第二高电位端子连接到IGBT的高电位侧的电极,上述第二低电位端子连接到IGBT的低电位侧的电极。此外,在两个半导体芯片的排列方向上,第二高电位端子偏向一方的半导体芯片侧配置,第二低电位端子偏向另一个半导体芯片侧配置。

因而,在上臂和下臂的任意一个中,在并联电路中的切换时的电流不平衡成为问题。

另一方面,也可以考虑使用两个相同的半导体装置来构成上、下臂。然而,用于将上、下臂联接的第一低电位端子和第二高电位端子的连接变得复杂等,主电路配线的电感有可能增加。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2016-157850号公报

发明内容

本公开的目的是提供一种电力转换装置,能够在对切换时的电流不平衡进行抑制的同时降低主电路配线的电感。

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