[发明专利]成膜装置

说明书

本发明的成膜装置是基于原子层沉积法的成膜装置，其特征在于，上述成膜装置具备：腔，是能够将内部保持为真空的筒状体；工件保持器，将作为处理对象的工件排列为多级并保持，使得上述工件的主面沿着铅垂方向；成膜原料供给管，将成膜原料供给到上述腔内；改性剂供给管，将改性剂供给到上述腔内；载体气体供给管，将载体气体供给到上述腔内；以及排气机构，对上述腔内进行排气，在与工件的主面平行的方向上切断了上述腔的剖面中，排气机构相对于上述成膜原料供给管、上述改性剂供给管以及上述载体气体供给管的气体吹出口的开口方向位于相反侧，且从成膜原料供给管、改性剂供给管以及载体气体供给管吹出的气流的总量相对于与工件的铅垂方向平行的中心线变得对称。

技术领域

本发明涉及成膜装置。

背景技术

作为在半导体晶片等被处理基板上成膜氧化膜的装置，已知有基于原子层沉积(ALD)法的成膜装置。

在专利文献1公开了基于原子层沉积法的成膜方法以及成膜装置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5221089号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1记载的成膜装置中，向处理容器内供给原料气体的Zr源气体分散喷嘴被设置为与排气口对置。若是这样的结构，则原料气体容易朝向排气口流动，原料气体滞留在处理容器内的时间短。起因于该滞留时间短，原料气体滞留在作为成膜处理对象的工件上的时间也短，不着膜在工件面而被排气的原料气体的比例大。

因此，存在如下问题，即，原料气体的浪费多，此外，成膜时间变长。

此外，还存在如下问题，即，不能对工件均匀地进行成膜。

本发明是为了解决上述的问题而完成的，其目的在于，提供一种能够以短的成膜时间对工件均匀地进行成膜的成膜装置。

用于解决课题的技术方案

本发明的成膜装置是基于原子层沉积法的成膜装置，其特征在于，上述成膜装置具备：腔，是能够将内部保持为真空的筒状体；工件保持器，将作为处理对象的工件排列为多级并保持，使得上述工件的主面沿着铅垂方向；成膜原料供给管，将成膜原料供给到上述腔内；改性剂供给管，将改性剂供给到上述腔内；载体气体供给管，将载体气体供给到上述腔内；以及排气机构，对上述腔内进行排气，在与工件的主面平行的方向上切断了上述腔的剖面中，排气机构相对于上述成膜原料供给管、上述改性剂供给管以及上述载体气体供给管的气体吹出口的开口方向位于相反侧，且从成膜原料供给管、改性剂供给管以及载体气体供给管吹出的气流的总量相对于与工件的铅垂方向平行的中心线变得对称。

优选的是，在本发明的成膜装置中，上述成膜原料供给管将成膜原料和载体气体的混合气体供给到上述腔内，上述改性剂供给管将改性剂和载体气体的混合气体供给到上述腔内，从上述成膜原料供给管、上述改性剂供给管以及上述载体气体供给管的全部始终将载体气体供给到上述腔内。

优选的是，在本发明的成膜装置中，在与工件的主面平行的方向上切断了上述腔的剖面中，上述成膜原料供给管、上述改性剂供给管以及上述载体气体供给管的气体吹出口的开口方向朝上，上述排气机构在上述腔的下部相对于上述工件位于下方。

优选的是，在本发明的成膜装置中，上述排气机构的吸气口的开口面积大于上述成膜原料供给管、上述改性剂供给管以及上述载体气体供给管的气体吹出口各自的开口面积。

优选的是，在本发明的成膜装置中，还具备：整流构件，将从上述成膜原料供给管、上述改性剂供给管以及上述载体气体供给管吹出的气流的朝向变更为朝着上述排气机构的朝向。

发明效果