[发明专利]组件的光诱致选择性转移

权利要求书

1.一种用于组件的光诱致选择性转移的方法，所述方法包括：

提供一施体基板(10)，所述施体基板具有分成不同子集的多个组件(11，12，13)，所述子集至少包括

一第一组件子集，在一第一转移步骤期间被选择用于转移并根据一第一组件布局(A)来被布置；以及

一第二组件子集，在所述第一转移步骤期间被选择保留在所述施体基板(10)上并根据一第二组件布局(B)来被布置；

提供一目标基板(20)，所述目标基板包括设置在至少与所述第一组件布局(A)相应的相对位置(A’)处的多个凹槽(21)以及由所述目标基板(20)的非凹槽区域所形成的多个突起(25)，所述突起被设置在至少与所述第二组件布局(B)相应的相对位置(B’)处；

对位所述施体基板(10)与所述目标基板(20)，其中

所述第一组件子集被悬挂在相应的所述凹槽(21)的上方而不接触所述目标基板(20)，而且

所述第二组件子集与所述目标基板(20)的相应的所述突起(25)接触；以及

在所述第一转移步骤中，将光(L)投射在所述施体基板(10)上的至少所述第一组件布局(A)上，以把所述第一组件子集转移跨越且进入到相应的所述凹槽(21)中，同时所述第二组件子集维持附接到所述施体基板(10)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二组件子集被选择用以在一第二转移步骤期间中进行转移，其中，所述第二转移步骤与所述第一转移步骤是分隔的，其中，所述第二转移步骤包括利用保留着的所述第二组件子集来将所述施体基板(10)对位于同一或另一目标基板上，该目标基板包括至少设置在相应于所述第二组件布局(B)的相对位置处的凹槽，其中，在所述第二转移步骤中，光(L)被投射在至少所述施体基板上的所述第二组件布局上，以把所述第二组件子集转移跨越且进入到相应的所述凹槽中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，每一个转移步骤由光(L)的一个别脉冲来实现。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述施体基板(10)上，所述第一组件子集的多个组件被穿插在所述第二组件子集的多个组件中，其中，所述第二组件子集具有与所述第一组件子集相同的相对位置。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述施体基板(10)上，所述第二组件子集的该组件(12)与所述第一组件子集的该组件(11)相邻。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，进行接触的所述目标基板(20)充当用于所述第二组件子集的一散热器，其中，由所述光(L)所产生热的大于20％的一个分额通过与所述目标基板(20)的接触来消散。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述光(L)致使所述第一组件子集被加热到一第一温度(T1)而所述第二组件子集被加热到一第二温度(T2)，其中，所述第二温度(T2)低于所述第一温度(T1)，其中，所述第一温度(T1)高于用于从所述施体基板(10)释放所述第一组件子集的一临界值，并且所述第二温度(T2)低于所述临界值。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述凹槽(21)的外部边缘以相对于所述目标基板(20)和/或底部的一表面法线的一角度(θ)而倾斜，其中，所述角度(θ)在十度到八十度之间。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述组件(11)包括发光装置而所述凹槽(21)包括一反射表面(20r)。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述组件(11，12)具有一沿着所述施体基板(10)的一表面的小于百微米的组件直径(Wc)，其中，所述组件直径(Wc)大于所述组件的厚度(Hc)至少两倍。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述目标基板(20)上的组件的一间距(Pt)大于在该施体基板(10)上的组件的一间距(Pd)至少两倍。