[发明专利]用于光刻应用的具有变化的表面形貌的凸节

说明书

描述了用于在光刻设备中保持物体的各种凸节设计。光刻设备包括照射系统、第一支撑结构、第二支撑结构和投影系统。照射系统被设计成接收辐射并将辐射引导朝向形成图案化辐射的图案形成装置。第一结构被设计成将图案形成装置支撑在第一支撑结构上。第二支撑结构(402)具有多个凸节(406)并且被设计成将衬底(408)支撑在多个凸节上。多个凸节中的每个凸节的顶表面的形貌不是基本平坦的，从而减小了衬底与多个凸节中的每个凸节之间的接触面积。投影系统被设计成接收图案化辐射并将图案化辐射导向衬底。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月27日提交的美国临时专利申请号62/578,126的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及光刻设备中的支撑结构上的凸节特征，其中该凸节特征被设计为减小物体与支撑结构之间的接触阻力。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案施加到衬底的目标部分上的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置可用于生成对应于集成电路的单个层上的电路图案，且该图案可以被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性地曝光到目标部分上来辐射每个目标部分，以及包括所谓的扫描器，其中通过利用在给定方向(“扫描”方向)上的束扫描图案来辐射每个目标部分的同时，同步地扫描与该方向平行或反平行的衬底。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转移到衬底。

光刻被广泛认为是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻成为使得能够制造微型IC或其他器件和/或结构的更关键因素。

图案印制的极限的理论估计可以通过分辨率的瑞利准则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用于印制图案的投影系统的数值孔径，k₁是一个与过程有关的调整因子，也称为瑞利常数，CD是印制的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)得出，特征的最小可印制尺寸的减小可以以三种方式获得：通过缩短曝光波长λ，通过增加数值孔径NA，或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印制尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如在5-20nm范围内，例如在13-14nm范围内，例如在5-10nm范围内，诸如6.7nm或6.8nm。可能的源包括，例如，激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

但是，此类源产生的辐射将不仅是EUV辐射，而且该源还可能以其他波长发射，包括红外(IR)辐射和深紫外(DUV)辐射。DUV辐射可能对光刻系统有害，因为它可能导致对比度降低。此外，不需要的IR辐射可能会对系统内的部件产生热损伤。因此，已知使用光谱纯度滤光片来增加EUV在透射辐射中的比例，并减少甚至消除不想要的非EUV辐射，例如DUV和IR辐射。

使用EUV辐射的光刻设备可能要求在光刻操作期间必须将EUV辐射束路径或其至少大部分保持在真空中。在光刻设备的这种真空区域中，可以使用支撑结构来支撑物体，例如光刻设备中的图案形成装置和/或衬底。

支撑结构与物体之间的界面在支撑结构与物体之一或两者上的接触点处容易磨损。此外，物体与支撑结构之间的静摩擦力和/或范德华力会在物体中的被更牢固地粘附到支撑结构的区域上引起局部变形。这些变形在光刻过程的各个阶段可能会导致重叠误差和其他异常成像效果。

发明内容