[发明专利]用于光刻应用的具有变化的表面形貌的凸节有效

专利信息
申请号: 201880069695.5 申请日: 2018-10-04
公开(公告)号: CN111279266B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: M·A·阿克巴斯;D·H·彼得森;塔莫·维特迪克;M·佩里;R·B·刘易斯;I·西格 申请(专利权)人: ASML控股股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/683;H01L21/687
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 光刻 应用 具有 变化 表面 形貌
【权利要求书】:

1.一种光刻设备,包括:

照射系统,被配置为接收辐射并且将辐射引导朝向被配置为形成图案化辐射的图案形成装置;

第一支撑结构,被配置为将图案形成装置支撑在所述第一支撑结构上;

第二支撑结构,具有多个凸节并被配置为将衬底支撑在所述多个凸节上,其中,所述多个凸节中的每个的顶表面的形貌使得所述衬底与所述多个凸节中的每个之间的接触面积相对于所述多个凸节中的每个的顶表面为基本平坦的顶表面形貌时的接触面积被减小至少50%;和

投影系统,被配置成接收图案化辐射并将图案化辐射导向所述衬底;

其中,所述多个凸节中的一个或更多个具有顶表面形貌,所述顶表面形貌包括被凹入部分围绕的中心凸起部分,并且所述中心凸起部分和所述凹入部分被外周凸起部分围绕。

2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述多个凸节中的一个或更多个具有其他顶表面形貌,所述其他顶表面形貌包括被倾斜部分围绕的中心基本平坦部分。

3.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述中心凸起部分的截面尺寸在1μm和200μm之间。

4.根据权利要求2所述的光刻设备,其中,所述倾斜部分从所述中心基本平坦部分沿径向方向以75μm至175μm之间的距离延伸。

5.根据权利要求4所述的光刻设备,其中,所述倾斜部分的高度在50nm至1000nm之间。

6.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述多个凸节中的一个或更多个具有包括圆形表面的顶表面形貌。

7.一种光刻设备,包括:

照射系统,被配置为接收辐射并且将辐射引导朝向被配置为形成图案化辐射的图案形成装置;

第一支撑结构,被配置为将图案形成装置支撑在所述第一支撑结构上;

第二支撑结构,具有多个凸节并被配置为将衬底支撑在所述多个凸节上,其中,所述多个凸节中的每个的顶表面的形貌使得所述衬底与所述多个凸节中的每个之间的接触面积相对于所述多个凸节中的每个的顶表面为基本平坦的顶表面形貌时的接触面积被减小至少50%;和

投影系统,被配置成接收图案化辐射并将图案化辐射导向所述衬底;

其中,所述多个凸节中的一个或更多个具有顶表面形貌,所述顶表面形貌包括被烧蚀部分围绕的中间非烧蚀部分,所述烧蚀部分从所述中间非烧蚀部分沿径向延伸;

所述烧蚀部分被外周非烧蚀部分围绕。

8.一种衬底支撑件,被配置用于光刻设备中,所述衬底支撑件包括:

基底结构;和

在基底结构的顶表面上方延伸的多个凸节,其中,所述多个凸节中的每个的顶表面的形貌将放置在所述多个凸节上的衬底与所述多个凸节中的每个之间的接触面积相对于所述多个凸节中的每个的顶表面为基本平坦的顶表面形貌时的接触面积减小至少50%;

其中,所述多个凸节中的一个或更多个具有顶表面形貌,所述顶表面形貌包括被凹入部分围绕的中心凸起部分,并且所述中心凸起部分和所述凹入部分被外周凸起部分围绕。

9.根据权利要求8所述的衬底支撑件,其中,所述多个凸节中的一个或更多个具有其他顶表面形貌,所述其他顶表面形貌包括被倾斜部分围绕的中心基本平坦部分。

10.根据权利要求8所述的衬底支撑件,其中,所述中心凸起部分的截面尺寸在1μm和200μm之间。

11.根据权利要求9所述的衬底支撑件,其中,所述倾斜部分从所述中心基本平坦部分沿径向方向以75μm至175μm之间的距离延伸。

12.根据权利要求9所述的衬底支撑件,其中,所述倾斜部分的高度在50nm至1000nm之间。

13.根据权利要求8所述的衬底支撑件,其中,所述多个凸节中的一个或更多个具有包括圆形表面的顶表面形貌。

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