[发明专利]包含聚合物和陶瓷冷烧结材料的基板

权利要求书

1.一种基板，其包含：

冷烧结混合材料，其包含：

聚合物组分；和

陶瓷组分；

至少部分包埋在所述冷烧结混合材料中的导体；和

附接至所述导体的通孔，

其中所述冷烧结混合材料的相对密度为约80％至约99％。

2.根据权利要求1所述的基板，其中所述聚合物组分选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚氨酯、聚砜、聚酮、聚缩甲醛、聚碳酸酯、聚醚、聚苯醚、聚醚酰亚胺、玻璃化转变温度大于200℃的聚合物、其共聚物或其混合物。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的基板，其中所述聚合物组分选自支链聚合物、聚合物共混物、共聚物、无规共聚物、嵌段共聚物、交联聚合物、交联聚合物与非交联聚合物的共混物、大环、超分子结构、聚合物离聚物、动态交联聚合物、液晶聚合物、溶胶-凝胶或其混合物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板，其中所述聚合物组分为所述冷烧结混合材料的约5重量％至约60重量％。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板，其中所述聚合物组分为所述冷烧结混合材料的约20重量％至约40重量％。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板，其中所述陶瓷组分包含一种或多于一种陶瓷颗粒。

7.根据权利要求6所述的基板，其中所述一种或多于一种陶瓷颗粒成型为球体、晶须、棒、纤丝、纤维或片。

8.根据权利要求6或7中任一项所述的基板，其中所述一种或多于一种陶瓷颗粒选自氧化物、氟化物、氯化物、碘化物、碳酸盐、磷酸盐、玻璃、钒酸盐、钨酸盐、钼酸盐、碲酸盐、硼酸盐或其混合物。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的基板，其中所述一种或多于一种陶瓷颗粒选自BaTiO₃、Mo₂O₃、WO₃、V₂O₃、V₂O₅、ZnO、Bi₂O₃、CsBr、Li₂CO₃、CsSO₄、LiVO₃、Na₂Mo₂O₇、K₂Mo₂O₇、ZnMoO₄、Li₂MoO₄、Na₂WO₄、K₂WO₄、Gd₂(MoO₄)₃、Bi₂VO₄、AgVO₃、Na₂ZrO₃、LiFeP₂O₄、LiCoP₂O₄、KH₂PO₄、Ge(PO₄)₃、Al₂O₃、MgO、CaO、ZrO₂、ZnO–B₂O₃–SiO₂、PbO–B₂O₃–SiO₂、3ZnO–2B₂O₃、SiO₂、27B₂O₃–35Bi₂O₃–6SiO₂–32ZnO、Bi₂₄Si₂O₄₀、BiVO₄、Mg₃(VO₄)₂、Ba₂V₂O₇、Sr₂V₂O₇、Ca₂V₂O₇、Mg₂V₂O₇、Zn₂V₂O₇、Ba₃TiV₄O₁₅、Ba₃ZrV₄O₁₅、NaCa₂Mg₂V₃O₁₂、LiMg₄V₃O₁₂、Ca₅Zn₄(VO₄)₆、LiMgVO₄、LiZnVO₄、BaV₂O₆、Ba₃V₄O₁₃、Na₂BiMg₂V₃O₁₂、CaV₂O₆、Li₂WO₄、LiBiW₂O₈、Li₂Mn₂W₃O₁₂、Li₂Zn₂W₃O₁₂、PbO–WO₃、Bi₂O₃–4MoO₃、Bi₂Mo₃O₁₂、Bi₂O-2.2MoO₃、Bi₂Mo₂O₉、Bi₂MoO₆、1.3Bi₂O₃–MoO₃、3Bi₂O₃–2MoO₃、7Bi₂O₃–MoO₃、Li₂Mo₄O₁₃、Li₃BiMo₃O₁₂、Li₈Bi₂Mo₇O₂₈、Li₂O–Bi₂O₃–MoO₃、Na₂MoO₄、Na₆MoO₁₁O₃₆、TiTe₃O₈、TiTeO₃、CaTe₂O₅、SeTe₂O₅、BaO–TeO₂、BaTeO₃、Ba₂TeO₅、BaTe₄O₉、Li₃AlB₂O₆、Bi₆B₁₀O₂₄、Bi₄B₂O₉、或其混合物。