[发明专利]EPI中的多区域点加热

说明书

本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热处理腔室。热处理腔室包括基板支撑件、设置在基板支撑件上方或下方的第一多个加热元件、和设置在基板支撑件上方的点加热模块。点加热模块用于在处理期间对设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善了温度分布，这进而改善了沉积均匀性。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体基板处理的设备和方法，更具体地，涉及用于半导体基板处理的热处理腔室。

背景技术

处理半导体基板用于各种各样的应用，包括制成集成电路装置和诸如MEMS之类的微装置。在一种用于在基板上沉积材料层的已知处理设备中，在处理基板期间，将基板定位在处理腔室内的基座上。由支撑轴支撑基座，支撑轴可绕中心轴旋转，以使附接到其一个端部的基座旋转。对热源(诸如设置在基板下方和上方的多个加热灯)进行精确控制允许基板在其处理期间被加热到非常严格的公差范围内。基板的温度可影响沉积在基板上的材料的均匀性。

尽管对用于加热基板的热源进行精确控制，但是已经观察到的是，在基板上的某些位置处形成了谷(valley)(较低的沉积层厚度区域)。因此，需要一种用于能够改善对基板温度的均匀性进行控制的半导体处理的热处理腔室。

发明内容

本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体基板处理的设备和方法，更具体地，涉及有助于半导体基板处理的热处理腔室。在一个实施方式中，处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在腔室主体中；辐射模块，所述辐射模块设置在腔室主体外部且面向基板支撑件；支撑件，所述支撑件设置在腔室主体外部；安装支架，所述安装支架设置在支撑件上；和点加热模块，所述点加热模块耦接至安装支架。

在另一实施方式中，处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在腔室主体中；支撑件，所述支撑件设置在腔室主体外部；安装支架，所述安装支架设置在支撑件上；和点加热模块，所述点加热模块耦接至安装支架。点加热模块包括耦接至安装支架的可移动台。

在另一实施方式中，处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在腔室主体中；支撑件，所述支撑件设置在腔室主体外部；安装支架，所述安装支架设置在支撑件上；和点加热模块，所述点加热模块耦接至安装支架。点加热模块包括至少一个可调整楔(adjustable wedge)。

附图说明

因此，可详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参照实施方式来获得上文所简要概述的本公开内容的更具体描述，其中一些实施方式在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出本公开内容的典型实施方式，而因此不应被视为限制本发明的范围，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式

图1是根据一个实施方式的设备的示意性侧视图。

图2是根据一个实施方式的处理腔室的示意性截面侧视图。

图3是根据另一实施方式的处理腔室的示意性截面侧视图。

图4是根据又一实施方式的处理腔室的示意性截面侧视图。

图5是根据又一实施方式的处理腔室的示意性截面侧视图。

图6A至图6B是根据实施方式的点加热模块的示意性顶视图。

图7A至图7B是根据实施方式的用于安装图6A至图6B的点加热模块的安装支架的透视图。

图8是根据一个实施方式的固定至处理腔室的部件的图7A至图7B的安装支架的分解视图。

图9是根据一个实施方式的安装至处理腔室的图6A至图6B的点加热模块的示意性顶视图。

图10是根据一个实施方式的点加热器的示意性侧视图。