[发明专利]EPI中的多区域点加热有效
申请号: | 201880069406.1 | 申请日: | 2018-10-04 |
公开(公告)号: | CN111263977B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 刘树坤;科吉·纳卡尼施;中川俊行;朱作明;叶祉渊;约瑟夫·M·拉内什;尼欧·谬;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;舒伯特·S·楚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | epi 中的 区域 加热 | ||
1.一种处理腔室,包括:
腔室主体;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述腔室主体中;
辐射模块,所述辐射模块设置在所述腔室主体外部且面向所述基板支撑件;
支撑件,所述支撑件设置在所述腔室主体外部;
安装支架,所述安装支架设置在所述腔室主体外部的所述支撑件上;和
点加热模块,所述点加热模块包括耦接至所述安装支架的多个点加热器,所述安装支架包括形成在其中的多个开口,所述多个开口相对于所述安装支架的中心处于不同的角度位置,其中所述多个开口中的每个开口定位在所述多个点加热器中的相应点加热器与所述基板支撑件之间。
2.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述点加热模块包括激光源。
3.如权利要求2所述的处理腔室,其中所述点加热模块进一步包括多个准直器,每个准直器光学耦合至所述激光源。
4.如权利要求3所述的处理腔室,其中每个准直器通过光纤光学耦合至所述激光源。
5.如权利要求4所述的处理腔室,其中所述激光源是激光二极管阵列。
6.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述点加热模块包括多个辐射源,并且其中所述多个辐射源的每个辐射源通过光纤耦合至对应的准直器。
7.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述点加热模块包括多个辐射源和至少一个热传感器。
8.如权利要求7所述的处理腔室,其中所述多个辐射源的每个辐射源是激光源,并且每个热传感器是高温计。
9.一种处理腔室,包括:
腔室主体;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述腔室主体中;
支撑件,所述支撑件设置在所述腔室主体外部;
安装支架,所述安装支架设置在所述腔室主体外部的所述支撑件上;和
点加热模块,所述点加热模块包括耦接至所述安装支架的多个点加热器,所述点加热模块包括可移动台,所述可移动台耦接至所述安装支架,所述安装支架包括形成在其中的多个开口,所述多个开口相对于所述安装支架的中心处于不同的角度位置,其中所述多个开口中的每个开口定位在所述多个点加热器中的相应点加热器与所述基板支撑件之间。
10.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述可移动台包括滑块和楔。
11.如权利要求9所述的处理腔室,其中热传感器耦接至所述可移动台。
12.一种处理腔室,包括:
腔室主体;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述腔室主体中;
支撑件,所述支撑件设置在所述腔室主体外部;
安装支架,所述安装支架设置在所述腔室主体外部的所述支撑件上;和
点加热模块,所述点加热模块包括耦接至所述安装支架的多个点加热器,所述点加热模块包括至少一个可调整楔,所述安装支架包括围绕中心开口的环形部分、从所述环形部分延伸的多个板、以及形成在所述多个板中的多个开口,其中所述多个开口中的每个开口定位在所述多个点加热器中的相应点加热器与所述基板支撑件之间。
13.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述点加热模块进一步包括多个辐射源。
14.如权利要求13所述的处理腔室,其中所述多个辐射源中的每个辐射源耦接至所述多个板之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造