[发明专利]用于LVDS接收器电路的输入级有效

专利信息
申请号: 201880065454.3 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN111201714B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: A·舒伯特 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H03K5/24 分类号: H03K5/24;H03F3/45;H04L25/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 lvds 接收器 电路 输入
【权利要求书】:

1.一种用于LVDS接收器电路(100)的输入级(50),所述输入级包括:

至少一个电源电压连接端(41);

第一级输入端和第二级输入端(11,12),所述第一级输入端和所述第二级输入端用于施加差分输入信号对;

第一差分级和第二差分级(1,2),其中,所述级输入端(11,12)分别与所述第一差分级(1)的输入端(1-1,1-2)直接地连接,并且所述级输入端分别通过电平移位电路(15,16)与所述第二差分级(2)的输入端(2-1,2-2)间接地连接;

两个级输出端(21,22),所述级输出端分别具有由所述第一差分级的和所述第二差分级(1,2)的各一个输出端构成的连接,

其特征在于,

所述第一差分级和所述第二差分级(1,2)分别通过第三差分级(3)的晶体管(3-1,3-2)与所述电源电压连接端(41)连接,其中,所述晶体管中的一个(3-1)的控制输入端与测量路径(20)连接,所述测量路径使所述级输入端(11,12)彼此连接,而另外的晶体管(3-2)的控制输入端与用于提供参考电压(30)的装置连接。

2.根据权利要求1所述的输入级(50),其中,所述第一差分级和/或所述第二差分级和/或所述第三差分级(1,2,3)的晶体管(1-1,1-2,2-1,2-2,3-1,3-2)全部实施为一种类型的晶体管(1-1,1-2,2-1,2-2,3-1,3-2)、尤其实施为PMOS场效应晶体管。

3.根据以上权利要求中任一项所述的输入级(50),其中,使所述级输入端(11,12)彼此连接的所述测量路径(20)具有由两个相同的电阻(32,33)构成的串联电路,其中,所述第三差分级(3)的与所述测量路径(20)连接的晶体管(3-1)的控制输入端在所述串联电路的电阻(32,33)之间与所述测量路径(20)导电地连接。

4.根据以上权利要求中任一项所述的输入级(50),其中,所述第三差分级(3)的晶体管(3-1,3-2)的开关路径通过另一晶体管(45)的开关路径与所述电源电压连接端(41)连接。

5.根据以上权利要求中任一项所述的输入级(50),其中,所述电平移位电路中的第一个(15)包括由两个晶体管(15-1,15-2)构成的第一串联电路(17-1),其中,所述第一串联电路(17-1)的第一端部与所述电源电压连接端(41)导电地连接,所述第一串联电路(17-1)的晶体管(15-1,15-2)的控制输入端分别与所述级输入端(11,12)中的一个导电地连接,所述第二差分级(2)的输入端中的第一个(2-1)在所述第一串联电路(17-1)的晶体管(15-1,15-2)之间与所述第一串联电路(17-1)导电地连接。

6.根据以上权利要求中任一项所述的输入级(50),其中,所述电平移位电路中的第二个(16)包括由两个晶体管(16-1,16-2)构成的第二串联电路(17-2),其中,所述第二串联电路(17-2)的第一端部与所述电源电压连接端(41)导电地连接,所述第二串联电路(17-2)的晶体管(16-1,16-2)的控制输入端分别与所述级输入端(11,12)中的一个导电地连接,所述第二差分级(2)的输入端中的第二个(2-2)在所述第二串联电路(17-2)的晶体管(16-1,16-2)之间与所述第二串联电路(17-2)导电地连接。

7.根据权利要求5和6所述的输入级(50),其中,所述第一串联电路(17-1)的第二端部以及所述第二串联电路(17-2)的第二端部与电流镜电路(18)的晶体管的开关路径导电地连接。

8.根据权利要求7所述的输入级(50),所述输入级还包括第二电源电压连接端(42),其中,所述电流镜电路(18)与所述第二电源电压连接端(42)导电地连接。

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