[发明专利]具有沿公共水平层级的晶体管和电容器的装置以及形成装置的方法

说明书

一些实施例包含具有交替的第一层级和第二层级的堆叠的组合件。所述第一层级是绝缘层级。所述第二层级是具有集成装置的装置层级。所述集成装置中的每一者具有与相关联电容器耦合的晶体管，并且所述电容器从所述晶体管水平地偏移。所述晶体管具有半导体沟道材料，并且具有沿所述半导体沟道材料的晶体管栅极。所述晶体管中的每一者具有沿所述半导体沟道材料的一侧并且与所述相关联电容器耦合的第一源极/漏极区，并且具有第二源极/漏极区。字线沿所述装置层级水平延伸并且与所述晶体管栅极耦合。数字线垂直地延伸穿过所述装置层级并且与所述第二源极/漏极区耦合。一些实施例包含形成集成结构的方法。

技术领域

具有晶体管和电容器的装置；并且其中所述晶体管和所述电容器是沿公共水平层级的。形成装置的方法，其中晶体管和存储器单元的相关联电容器彼此均沿相同的水平层级。

背景技术

存储器是集成电路的一种类型，并且在电子系统中用于存储数据。集成存储器通常在单个存储器单元的一个或一个以上阵列中制造。存储器单元被配置成在至少两个不同的可选状态中保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些单个存储器单元可以被配置成存储两个以上层级或状态的信息。

实例存储器是动态随机存取存储器(DRAM)。每个DRAM单元可以包括与晶体管结合的电容器。存储在DRAM单元的电容器上的电荷可以对应于存储器位。

持续目标以改进集成电路结构的架构布局以努力维持(或甚至改进)装置性能，同时实现更高层级的集成。期望开发改进的架构和改进的装置。期望改进的装置适于在存储器和/或其它集成电路中使用。进一步期望开发用于制造改进的装置和架构的方法。

附图说明

图1是实例装置的示意性三维视图。

图2是图1的实例装置的另一个示意性三维视图。

图3-5是其它实例装置的示意性三维视图。

图6是实例存储器阵列的区域的示意性三维视图。

图7是图6的实例存储器阵列的区域的另一个示意性三维视图。

图8是另一个示例装置的示意性顶视图。

图9是在实例处理阶段的实例组合件的示意性顶视图。

图10-23是在实例处理阶段的实例组合件的区域的示意性横截面侧视图。

图10A-23A是在图10-23的实例处理阶段的实例组合件的区域的示意性俯视横截面图。图10-23是沿图10A-23A的线X-X的视图，以及图10A-23A是沿图10-23的线Z-Z的视图。

图13B是在图13A的处理阶段之后的实例处理阶段处的图13A的实例组合件的示意性俯视横截面图。

图16B和16C是可以在俯视图图16A中标记为16A和16B的区域内的实例结构的示意性横截面图。

图22B是可以在俯视图图22A中标记为22B的区域内的实例结构的示意性横截面图。

具体实施方式

一些实施例包含具有电容器和晶体管的集成装置，其中电容器水平地偏移晶体管。集成装置可以在集成组合件中彼此垂直堆叠。在一些实施例中，集成装置可以是DRAM阵列的存储器单元。一些实施例包含形成具有与晶体管水平偏移的电容器的集成装置的方法，并且一些实施例包含形成包括此类集成装置的垂直堆叠层的架构的方法。参考图1-23描述实例实施例。

参考图1，示出的装置10包括晶体管12和电容器14。