[发明专利]具有沿公共水平层级的晶体管和电容器的装置以及形成装置的方法

权利要求书

1.一种组合件，其包括：

在半导体基底上的第一绝缘层级；

在所述第一绝缘层级上的第二绝缘层级；以及

在所述第一绝缘层级和所述第二绝缘层级之间的装置；所述装置包含与电容器耦合的晶体管；所述电容器相对于所述晶体管水平偏移；所述电容器和所述晶体管处于彼此相同的平面层级。

2.根据权利要求1所述的组合件，其中所述装置沿穿过所述装置的水平横截面为基本上圆形的。

3.根据权利要求1所述的组合件，其中所述装置沿穿过所述装置的水平横截面并非基本上圆形的。

4.根据权利要求1所述的组合件，其中所述晶体管包含靠近沟道材料的栅极，并且其中所述栅极跨过所述沟道材料的区域。

5.根据权利要求1所述的组合件，其中所述晶体管包含靠近沟道材料的栅极，并且其中所述栅极主要在所述沟道材料的区域下方或主要在所述沟道材料的区域上方。

6.一种组合件，其包括：

沿垂直方向彼此交替的第一层级和第二层级的堆叠；

所述第一层级包括绝缘材料并且是绝缘层级；

所述第二层级包括集成装置并且是装置层级；

所述集成装置中的每一者包含与电容器耦合的晶体管，所述电容器相对于所述晶体管水平偏移；并且

所述集成装置中的每一者的所述电容器和所述晶体管完全容纳在所述装置层级中的一者内。

7.根据权利要求6所述的组合件，其中所述晶体管中的每一者包括栅极和相关联的沟道材料。

8.根据权利要求7所述的组合件，其中所述晶体管中的至少一些的所述栅极跨过所述相关联的沟道材料。

9.根据权利要求7所述的组合件，其中所述晶体管中的至少一些的所述栅极不跨过所述相关联的沟道材料。

10.根据权利要求6所述的组合件，其中所述集成装置中的至少一者沿穿过所述集成装置的水平横截面为基本上圆形的。

11.根据权利要求6所述的组合件，其中所述集成装置中的至少一者沿穿过所述集成装置的水平横截面并非基本上圆形的。

12.一种组合件，其包括：

沿垂直方向彼此交替的第一层级和第二层级的堆叠；所述第一层级包括绝缘材料并且是绝缘层级；所述第二层级包括集成装置并且是装置层级；所述集成装置中的每一者包含与相关联的电容器耦合的晶体管，所述电容器相对于所述晶体管水平偏移；所述集成装置中的每一者的所述晶体管和所述相关联的电容器完全容纳在所述装置层级中的一者内；所述晶体管包括半导体沟道材料，并且包括沿所述半导体沟道材料的晶体管栅极；所述晶体管中的每一者包括沿所述半导体沟道材料的一侧并且与所述相关联的电容器耦合的第一源极/漏极区，并且包括在所述半导体沟道材料的与所述第一源极/漏极区相对的侧上的第二源极/漏极区；

沿所述装置层级水平延伸并且与所述晶体管栅极耦合的字线；以及

垂直地延伸穿过所述装置层级并且与所述晶体管的所述第二源极/漏极区耦合的数字线。

13.根据权利要求12所述的组合件，其中在所述装置层级中的一者内的所述集成装置中的至少一些与在所述装置层级中的至少一个其它层级内的所述集成装置中的至少一些基本上相同。

14.根据权利要求12所述的组合件，其中在所述装置层级中的一者内的所有所述集成装置与所述装置层级中的至少一个其它层级内的所有所述集成装置基本上相同。

15.根据权利要求12所述的组合件，其中在所述装置层级中的一者内的所有所述集成装置与所述装置层级中的所有其它层级内的所有所述集成装置基本上相同。