[发明专利]高密度像素化的LED芯片和芯片阵列装置及制造方法

权利要求书

1.一种像素化的LED芯片，包含：

有源层，包含多个有源层部分；以及

支撑所述多个有源层部分的多个基板部分，其中，每一个所述基板部分包含透光材料、光注入表面和光提取表面，其中，所述光注入表面布置在所述有源层和所述光提取表面之间；

其中，所述多个有源层部分中的每一个有源层部分能够独立地电接入，并且被配置为照射所述多个基板部分中的不同基板部分并且将光透射穿过所述基板部分的所述光提取表面，使得所述多个有源层部分和所述多个基板部分形成多个像素；

其中，每一个基板部分的所述光提取表面包含多个突出特征部和多个光提取表面凹部，并且所述多个突出特征部中的每一个突出特征部通过所述多个光提取表面凹部中的一个光提取表面凹部与至少一个其他突出特征部隔开；以及

其中，所述多个像素中的不同像素之间的侧向边界与所述多个光提取表面凹部中的选定光提取表面凹部对准。

2.根据权利要求1所述的像素化的LED芯片，其中，所述多个像素的不同像素之间的所述侧向边界与所述多个光提取表面凹部中的延伸穿过所述基板部分的整个厚度的所述选定光提取表面凹部对准。

3.根据权利要求1所述的像素化的LED芯片，其中，所述多个突出特征部包含第一组突出特征部，所述第一组突出特征部包含包括高度、宽度和长度中的至少一个的第一尺寸，并且所述多个突出特征部包含第二组突出特征部，所述第二组突出特征部包含包括高度、宽度和长度中的至少一个的第二尺寸，其中，所述第二尺寸不同于所述第一尺寸。

4.根据权利要求1所述的像素化的LED芯片，其中，所述多个突出特征部包含包括第一形状的第一组突出特征部，并且所述多个突出特征部包含包括第二形状的第二组突出特征部，其中，所述第二形状不同于所述第一形状。

5.根据权利要求1所述的像素化的LED芯片，其中，所述多个突出特征部中的每一个突出特征部包含具有多个倾斜侧面的多面体形状或截头多面体形状，并且所述多个倾斜侧面中的每一个倾斜侧面包含范围在从约15度到约45度内的从垂直方向倾斜的角度。

6.根据权利要求1所述的像素化的LED芯片，其中，所述多个突出特征部中的每一个突出特征部包含所述多个像素中的与所述每一个突出特征部相关联的一个像素的最大宽度的大约五分之一至大约一半的最大宽度。

7.根据权利要求1所述的像素化的LED芯片，其中：

所述多个基板部分包含多个侧边；

所述多个突出特征部包含邻近所述多个侧边中的至少一些侧边定位的第一组突出特征部，且所述多个突出特征部包含远离所述多个侧边定位的第二组突出特征部；以及

所述第一组突出特征部中的至少一些突出特征部相对于所述第二组突出特征部中的至少一些突出特征部在以下方面中的至少一个方面不同：(a)尺寸、(b)形状、(c)数量和(d)分布。

8.根据权利要求1所述的像素化的LED芯片，其中：

所述多个基板部分包含多个角部；

所述多个突出特征部包含邻近所述多个角部定位的第一组突出特征部，并且所述多个突出特征部包含远离所述多个角部定位的第二组突出特征部；并且

所述第一组突出特征部中的至少一些突出特征部相对于所述第二组突出特征部中的至少一些突出特征部在以下方面中的至少一个方面不同：(a)尺寸、(b)形状、(c)数量和(d)分布。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的像素化的LED芯片，还包含布置在所述多个突出特征部上或上方的至少一种发光材料，其中，所述至少一种发光材料被配置为接收由所述多个有源层部分发射的光的至少一部分并且响应地产生发光体发射。

10.根据权利要求9所述的像素化的LED芯片，其中，与所述多个像素中的至少一个第一像素相关联的发光材料相对于与所述多个像素中的至少一个第二像素相关联的发光材料在以下方面中的至少一个方面不同：(a)组成、(b)浓度、(c)粒度和(d)分布。