[发明专利]闪存设备和相关方法

权利要求书

1.一种闪存单元，包括：

电荷存储结构；

与所述电荷存储结构横向分离的控制栅极；以及

部署在所述控制栅极与所述电荷存储结构之间的至少四个介电层。

2.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氮化物材料。

3.根据权利要求2所述的闪存单元，其中氮化物材料包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氧化物材料。

5.根据权利要求4所述的闪存单元，其中氧化物材料包括氧化铝。

6.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括高介电常数材料。

7.根据权利要求6所述的闪存单元，其中高介电常数材料包括HfOx、HfAlOx或者它们的组合。

8.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构的三个侧面的至少部分相邻。

9.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层包括氧化物材料和氮化物材料的交替层。

10.根据权利要求9所述的闪存单元，其中氧化物材料包括氧化硅。

11.根据权利要求9所述的闪存单元，其中氮化物材料包括氮化硅。

12.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且具有从大约1 nm至大约5 nm的厚度。

13.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的第一层与电荷存储结构相邻，并且所述至少四个介电层中的第一层的厚度与第二层的厚度之比是从大约1:2至大约1:5。

14.根据权利要求13所述的闪存单元，其中第二层与第一层相邻。

15.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层被配置成提供足以用于操作四级单元（QLC）的编程擦除窗口。

16.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层被配置成提供足以用于操作四级单元（QLC）的带隙。

17.根据权利要求1所述的闪存单元，其中电荷存储结构是浮置栅极或者电荷陷阱。

18.一种闪存设备，包括：

与彼此竖向间隔开的多个绝缘层；

延伸穿过所述多个绝缘层的竖向定向的导电沟道；

部署在相邻绝缘层之间的电荷存储结构；

控制栅极，其与所述电荷存储结构横向分离，使得所述电荷存储结构处在所述控制栅极与所述导电沟道之间；以及

部署在所述控制栅极与所述电荷存储结构之间的至少四个介电层。

19.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氮化物材料。

20.根据权利要求19所述的闪存设备，其中氮化物材料包括氮化硅。

21.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氧化物材料。