[发明专利]分开的狭缝衬垫门

说明书

本文所公开的实施例总体上涉及具有分开的狭缝衬垫门组件的基板处理腔室部件。在一个实施例中，分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、设置在第一门部分的前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、底部和前表面，所述底部耦接到致动器)和连杆组件，所述连杆组件将第一门部分耦接到第二门部分，其中所述连杆组件经配置成转换第二门部分相对于第一门部分的垂直移动和将第一门部分与第二门部分隔开的水平移动。

背景技术

本文所描述的实施例总体上涉及具有带有RF返回路径的狭缝衬垫门的基板处理腔室部件组件。

对相关技术的描述

在半导体工业中，装置通过许多制造工艺(诸如蚀刻和沉积)制造，从而产生尺寸不断缩小的结构。一些制造工艺可能产生颗粒，所述颗粒经常污染正在被处理的基板，这导致器件有缺陷。随着器件几何尺寸的缩小，对缺陷的敏感性增加，且颗粒污染物要求变得更加严格。因此，随着器件几何尺寸的缩小，对颗粒污染的可容忍水平降低。另外，没有缺陷的更小器件的生产依赖于其中处理基板的等离子体处理腔室中所利用的等离子体的良好的均匀性。

处理腔室通常具有腔室衬垫。基板通道开口穿过处理腔室和腔室衬垫，以允许基板进入和离开处理腔室。衬垫中的基板通道开口包括封闭件。封闭件与衬垫间隔开以限制摩擦，所述摩擦可产生可作为污染源而被引入处理环境中的颗粒。然而，由于基板通道开口产生的腔室衬垫的不均匀性/不对称性，因此难以实现封闭件附近的处理腔室中的等离子体的均匀性。等离子体的RF返回路径穿过腔室衬垫。由于返回RF电流不能穿过基板通道开口，因此RF返回路径在衬垫的一侧上较长(若形成有通道开口，则所述通道开口穿过所述衬垫)，从而导致在腔室衬垫的基板通道开口附近的等离子体的不均匀性/歪斜。

因此，需要一种具有改进的RF返回路径的腔室衬垫。

发明内容

本文所公开的实施例总体上涉及具有分开的狭缝衬垫门组件的基板处理腔室部件。在一个实施例中，分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、设置在第一门部分的前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、耦接到致动器的底部和前表面)，和连杆组件，所述连杆组件将第一门部分耦接到第二门部分，其中连杆组件经配置成转换第二门部分相对于第一门部分的垂直移动和第一门部分与第二门部分间隔开的水平移动。

在另一实施例中，提供一种具有分开的狭缝衬垫门组件的半导体处理腔室部件组件。半导体处理腔室具有腔室主体、设置在所述腔室主体顶部的盖组件(其中处理容积形成在由所述盖组件和所述腔室主体界定的区域内)、设置在所述处理容积中的静电吸盘、围绕所述静电吸盘并且设置有所述处理容积的衬垫、穿过所述腔室主体和所述衬垫形成的开口、以及分开的狭缝衬垫门组件。分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、经设置在所述第一门部分的所述前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、底部和前表面，所述底部耦接到致动器)、以及将所述第一门部分耦接到所述第二门部分的连杆组件，其中所述连杆组件经配置成转换所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动以及所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的水平移动。

在又另一实施例中，提供一种用于通过等离子体处理系统中的衬垫开口建立RF返回路径的方法。方法开始于以下步骤：通过衬垫和等离子体处理腔室的主体之间的空腔使具有致动器的分开的狭缝衬垫门组件在垂直方向上移动，其中所述分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分和第二门部分。使所述第一门部分在基本上水平的方向上移动，而通过连杆组件耦接到其的所述第二门部分在基本上垂直的方向上操作，并且当所述第一门部分覆盖了所述等离子体处理系统中的所述衬垫开口时，将所述第一门部分RF耦接至所述衬垫。

附图说明