[发明专利]静电式工件保持方法及静电式工件保持系统有效

专利信息
申请号: 201880053586.4 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN111066135B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 尾沢胜 申请(专利权)人: 株式会社创意科技
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H02N13/00
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 日本国神奈川県川崎*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 静电 工件 保持 方法 系统
【说明书】:

本发明提供一种静电式工件保持方法及静电式工件保持系统,可在切断对静电吸着部的电极施加电压的状态下保持工件。静电式工件保持方法包含:初始化步骤(S1)、除电步骤(S2)、工件设置步骤(S3)、工件吸着步骤(S4)及工件剥离步骤(S5)。初始化步骤(S1)为对静电吸着部(1)的电极(11)施加正电压并对电极(12)施加负电压的步骤,除电步骤(S2)为将静电吸着部(1)的表面(1a)的电荷除电的步骤。其次,工件设置步骤(S3)为使工件(W)抵接于静电吸着部(1)的表面(1a)的步骤,工件吸着步骤(S4)为切断对静电吸着部(1)的电极(11)施加的正电压并且切断对电极(12)施加的负电压的步骤。另外,工件剥离步骤(S5)为对静电吸着部(1)的电极(11)施加正电压并且对电极(12)施加负电压的步骤。

技术领域

本发明关于一种用以保持导体、半导体及介电体等的工件的静电式工件保持方法及静电式工件保持系统。

背景技术

就保持硅晶片(silicon wafer)等的工件的静电式工件保持技术而言,已知有例如专利文献1、专利文献2等记载的装置。

这些装置由静电吸着部与电压控制部所构成。具体地,静电吸着部由提供一对正负电荷的多个电极及遮覆这些电极的绝缘层形成。并且,电压控制部可将高电压施加到静电吸着部的多个电极,并使所施加的电压放电等。

据此,通过电压控制部将高电压施加到静电吸着部的电极,在载置于静电吸着部的表面的工件与静电吸着部之间产生静电吸着力,而将工件保持在静电吸着部。并且,通过电压控制部停止向电极施加高电压,解除工件与静电吸着部之间的静电吸着力,而可进行工件的搬离。也就是,这些装置发挥静电夹器的功能,通过静电吸着力来吸引(夹持)工件,并且在释放时可使工件搬离(解除夹持)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1:日本特开平09-036212号公报

专利文献2:日本特开2003-282671号公报。

发明内容

[发明所欲解决的课题]

然而,所述习知技术有如下述的问题。

也就是,所述装置中,在保持工件之际,为了在工件与静电吸着部之间产生静电吸着力,必需持续施加高电压到工件。也就是,将保持着工件的静电吸着部从某一制程搬送到下一制程之际,为了持续将高电压施加到电极,必需使来自电源的电缆持续维持与静电吸着部的电极的连接。各制程之间的距离长时,会成为拖着长电缆而搬送工件,非常不方便且导致作业效率的降低。

此外,薄膜硅晶片的情况时,若从静电吸着部剥离而以单体来搬送,则可能在硅晶片的表面发生龟裂、微小裂缝。因此,若能够以吸着在静电吸着部的状态下运送此种薄膜硅晶片,则可防止龟裂等的发生。然而,就需要电缆连接的现有技术而言,不可能进行此种搬运。

本发明是为了解决所述课题而研创,目的在提供一种静电式工件保持方法及静电式工件保持系统,可在切断对静电吸着部的电极施加电压的状态下保持工件。

[解决课题的技术手段]

为了解决所述课题,第1发明为一种静电式工件保持方法,用以通过静电吸着力将工件保持在静电吸着部的表面,该静电吸着部由下列构件所形成:可施加正电压的一个以上的第一电极、可施加负电压的一个以上的第二电极及包覆这些第一与第二电极的介电体,该静电式工件保持方法具备:初始化步骤,对第一电极施加正电压,并对第二电极施加负电压;除电步骤,在初始化步骤执行之后,将静电吸着部的表面的电荷除电;工件设置步骤,在除电步骤执行之后,使工件抵接于静电吸着部的表面;工件吸着步骤,在工件设置步骤执行之后,切断对第一电极施加的正电压以及对第二电极施加的负电压;以及工件剥离步骤,在工件吸着步骤执行之后,对第一电极施加正电压并且对第二电极施加负电压。

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