[发明专利]砷化镓晶体基板

说明书

一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硅的原子浓度为3.0×10¹⁶cm^‑3以上且3.0×10¹⁹cm^‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有0cm^‑2以上且15000cm^‑2以下的平均位错密度，并且当碳的原子浓度为1.0×10¹⁵cm^‑3以上且5.0×10¹⁷cm^‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm^‑2以上且20000cm^‑2以下的平均位错密度。

技术领域

本发明涉及一种砷化镓晶体基板。

背景技术

日本专利公开号2008-239480(专利文献1)公开了由砷化镓构成的半导体晶体作为晶体品质高的砷化镓晶体，所述半导体晶体具有6英寸以上的直径和1×10⁴cm^-2以下的平均位错密度，并且进一步公开了优选地具有通过光弹性法所测量的1×10^-5以下的平均残余应变的半导体晶体。W.A.Gault等,“通过垂直温度梯度凝固法生长高品质的III-V晶体”,Defect Control in Semiconductors,1990,第653-660页(非专利文献1)公开了一种通过垂直温度梯度凝固(VGF)法生长高品质的砷化镓的方法。M.Yamada,“高灵敏度的计算机控制的红外偏光器”,Review of Scientific Instruments,第64卷,第7期,1993年7月,第1815-1821页(非专利文献2)公开了一种通过使用高灵敏度的计算机控制的红外偏光器来测量通过LEC方法生长的市售的半绝缘性砷化镓(111)晶片中由残余应变所引起的小相位延迟和主轴双折射的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开第2008-239480号公报

非专利文献

非专利文献1：W.A.Gault等,“通过垂直温度梯度凝固法生长高品质的III-V晶体”,Defect Control in Semiconductors,1990,第653-660页。

非专利文献2：M.Yamada,“高灵敏度的计算机控制的红外偏光器”,Review ofScientific Instruments,第64卷,第7期,1993年7月,第1815-1821页。

发明内容

根据本发明的一个方面的砷化镓晶体基板包括具有150mm以上且205mm以下的直径的主表面并且所述砷化镓晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下。所述砷化镓晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者。所述砷化镓晶体基板含有3.0×10¹⁶cm^-3以上且3.0×10¹⁹cm^-3以下的浓度的硅原子和1.0×10¹⁵cm^-3以上且5.0×10¹⁷cm^-3以下的浓度的碳原子中的任一种。在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，当所述砷化镓晶体基板含有硅原子时，所述砷化镓晶体基板具有0cm^-2以上且15000cm^-2以下的平均位错密度，并且当所述砷化镓晶体基板含有碳原子时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm^-2以上且20000cm^-2以下的平均位错密度。