[发明专利]半导体设备和电子装置

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

第一半导体基板，在所述第一半导体基板上形成第一导体回路的至少一部分；以及

第二半导体基板，在所述第二半导体基板上形成第二导体回路，所述第二半导体基板包括第一导体层和第二导体层，所述第一导体层和所述第二导体层均包括导体，

所述第一导体层和所述第二导体层被配置为使得从所述第二导体回路产生磁通量的回路表面的方向与在所述第一导体回路中产生感应电动势的回路表面的方向相差90°。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第一导体层和所述第二导体层在至少一部分区中形成遮光结构。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，包括在所述第一导体层中的导体和包括在所述第二导体层中的导体中的至少一个导体包括耦合到正电源的布线，并且另一导体包括耦合到负电源或接地的布线。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，包括在所述第一导体层中的导体和包括在所述第二导体层中的导体中的至少一个导体包括平面导体。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，包括在所述第一导体层中的导体和包括在所述第二导体层中的导体中的至少一个导体包括网状导体。

6.根据权利要求5所述的半导体设备，其中，

包括在所述第一导体层中的导体包括平面导体，

包括在所述第二导体层中的导体包括网状导体，并且

作为位置关系，所述第一导体层比所述第二导体层更靠近所述第一半导体基板。

7.根据权利要求5所述的半导体设备，其中，在所述网状导体中的至少一部分区中，导体区的导体宽度和间隙区的间隙宽度具有导体宽度≥间隙宽度的关系。

8.根据权利要求5所述的半导体设备，其中，

包括在所述第一导体层中的导体包括第一网状导体，

包括在所述第二导体层中的导体包括第二网状导体，并且

所述第一网状导体的导体周期和所述第二网状导体的导体周期相同。

9.根据权利要求8所述的半导体设备，其中，所述第一网状导体的导体宽度和所述第二网状导体的导体宽度彼此不同。

10.根据权利要求5所述的半导体设备，其中，另一导体设置在所述网状导体的不是导体的间隙区的至少一部分中。

11.根据权利要求10所述的半导体设备，其中，

所述第二导体层在所述间隙区的至少一部分中包括网状导体，所述另一导体设置在所述网状导体中，并且

所述另一导体耦合到包括在所述第一导体层中的导体的至少一部分。

12.根据权利要求5所述的半导体设备，其中，所述网状导体在第一方向上的电阻值和所述网状导体在第二方向上的电阻值彼此不同，所述第二方向与所述第一方向正交。

13.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第一导体回路的有效形状是能够变化的。

14.根据权利要求13所述的半导体设备，其中，

所述第一半导体基板包括接收光的像素，并且

所述第一导体回路包括包含所述像素、从所述像素输出的像素信号流过的信号线以及所述像素的控制信号流过的控制线的导体回路。

15.根据权利要求12所述的半导体设备，还包括多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括耦合到所述网状导体的电极，所述网状导体在所述第二方向上的电阻值低于在所述第一方向上的电阻值，其中，

所述多个焊盘在所述第一方向上密集设置。