[发明专利]在具有宽系统接口的存储器中的多电平信令

说明书

本文中提供使用多电平信令以增加跨存储器装置中的较大数目个信道的数据传输速度的技术。此多电平信令可经配置以增加数据传输速度而不增加数据传输频率及/或所传达数据的发射功率。多电平信令方案的实例可为脉冲振幅调制PAM。多电平信号的各独有符号可经配置以表示多个数据位。

交叉参考

本专利申请案主张由霍利斯(Hollis)等在于2017年12月26日申请的标题为“在具有宽系统接口的存储器中的多电平信令(Multi-Level Signaling in Memory with WideSystem Interface)”的第15/854,600号美国专利申请案的优先权，所述申请案主张由霍利斯等人在2017年8月7日申请的标题为“在具有宽系统接口的存储器中的多电平信令”的第62/542,160号美国临时专利申请案的权益，所述申请案中的每一者以引用的方式明确并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及使用存储器装置的多电平信令且更特定来说涉及在包含宽系统接口的存储器装置中的多电平信令。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，其通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为存储信息，电子装置的组件可将状态写入或编程于存储器装置中。

存在多种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性。非易失性存储器(例如，FeRAM)可甚至在无外部电源的情况下维持其所存储逻辑状态达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其所存储状态，除非其由外部电源周期性刷新。FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构，但可归因于使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性质。因此，相较于其它非易失性及易失性存储器装置，FeRAM装置可具有改进性能。

一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、减小功率消耗或减小制造成本以及其它度量。

附图说明

图1说明根据本发明的实施例的支持具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的存储器装置的实例。

图2说明根据本发明的实施例的支持具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的眼图的实例。

图3说明根据本发明的实施例的支持具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的发射电路的实例。

图4说明根据本发明的实施例的支持具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的接收器的实例。

图5说明根据本发明的实施例的支持具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的存储器装置的实例。

图6展示根据本发明的实施例的支持具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的装置的框图。

图7说明根据本发明的实施例的包含支持具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的存储器控制器的系统的框图。

图8说明根据本发明的实施例的用于具有宽系统接口的存储器中的多电平信令的方法。

具体实施方式