[发明专利]用于活性焊接的焊接材料和用于活性焊接的方法

说明书

本发明提出一种用于活性焊接的焊接材料(1)，尤其用于将金属化部(3)活性焊接到包括陶瓷的承载层(2)上，其中焊接材料具有铜并且基本上是不含银的。

技术领域

本发明涉及一种用于活性焊接的焊接材料和一种用于活性焊接电子组件和器件的方法。

背景技术

焊接材料从现有技术中充分已知，例如从US 2014 126 155A1中已知，并且用于器件的材料配合的连接。尤其，本发明涉及如下焊接材料，所述焊接材料设为用于活性焊接并且用于将金属化部接合到包括陶瓷的承载衬底上。典型地，当焊接应当在低于1000℃的温度下进行时，这种焊接材料包括相对高的银份额。所述高的银份额伴随着相对高的材料成本。此外，当在运动中施加电场时，在包括陶瓷的承载衬底上的焊接层的边缘处出现银迁移的风险。

从US 4 603 0990 A中已知一种可延展的焊接薄膜。在此，焊接薄膜可以由0.1至5重量％的出自Ti、V、Zr的组的反应性金属或由出自所述组的元素以及1至30重量％的铟和55至99.8重量％的铜的混合物构成。

从DE 10 2015 108 668 A1中已知一种用于制造电路板的方法，其中电路板具有面状的基础材料，尤其陶瓷，在所述基础材料上在一侧或两侧借助于焊料层安置金属化部。

US 4 426 033A涉及一种反应性金属铜合金，其具有特定量的出自硅、锡、锗、锰、镍、钴的组的第三金属或由其构成的混合物，其中所述合金适合于焊接陶瓷。

US 4 784 313 A提到一种用于将由SiC陶瓷构成的成形件彼此连接或与由其他陶瓷或金属构成的成形件连接的方法，其中将要连接的表面通过在扩散焊接条件下插入金属层来接合。在此提出，作为金属层设有由MnCu(具有25至82重量％的Cu)或MnCo(具有5至50重量％的Co)构成的锰合金层，所述锰合金层可能附加地各自具有2至45重量％的金属Cr、Ti、Zr、Fe、Ni和/或Ta中的至少一种，其中添加物的总和应当不超过70重量％。

从DE 698 22 533 T1还了解一种陶瓷元件，所述陶瓷元件具有电流供应端子，其中金属元件嵌入到陶瓷元件中并且相对于陶瓷元件的凹部部分地露出，管状的大气屏蔽元件插入到凹部中并且与嵌入的金属元件连接。

发明内容

因此，本发明的目的是，提供一种焊接材料，所述焊接材料与现有技术相比能成本有益地制造并且其中能够避免银迁移。

所述目的通过一种用于活性焊接的焊接材料，通过一种承载层和通过一种方法来实现。本发明的其他优点和特征在说明书和附图中得出。

根据本发明，提出一种用于活性焊接，尤其用于将金属化部活性焊接到包括陶瓷的承载层上的焊接材料，其中焊接材料包括铜并且基本上是不含银的。

与现有技术相比，在根据本发明的焊接材料中有利地弃用银，由此可以降低制造成本并且可以避免银迁移。在此，代替银，铜和铜合金是焊接材料的主要组成部分。将“基本上不含银”尤其应理解为，焊接材料具有在杂质范围内的银份额，也就是说在焊接材料的小于0.5重量％，优选小于0.1重量％并且特别优选小于0.05重量％的范围内的银份额。原则上，例如借助于焊接材料可以将多个陶瓷层彼此连接，或者将金属化部，优选铜层接合到包括陶瓷的承载层上。优选地提出，将连接于承载层的金属化部结构化，尤其结构化成，以便例如构成用于电器件或电子器件的连接部位或印制导线。

优选提出，焊接材料在生产步骤中不具有银或银残留物或者减少其份额。由此能有利地确保，焊接材料是不含银的。