[发明专利]带有磁屏蔽的谐振时钟电路

权利要求书

1.一种用于形成半导体装置的方法，包括：

形成具有第一电感器和第一电容器的第一谐振时钟电路；

形成具有第二电感器和第二电容器的第二谐振时钟电路，第二电感器和第二电容器分别通过第一导电材料和第二导电材料电连接到第一谐振时钟电路；以及

形成第一磁性层和第二磁性层，

其中第一磁性层和第二磁性层分别布置在第一导电材料和第二导电材料上方，以利用第一谐振时钟电路和第二谐振时钟电路中的至少一个的寄生电容来操作第一谐振时钟电路和第二谐振时钟电路中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体装置的前端线层形成所述第一电感器和第二电感器。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料设置在所述半导体装置的其中形成第一电感器和第二电感器的所述前端线层上方的后端线层中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一谐振时钟电路的其上布置有磁性材料的部分包括所述第一谐振时钟电路的顶层，其中所述磁性材料形成第一磁性层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料被布置在谐振时钟电路元件上方。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料被布置在谐振时钟电路元件下方。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料被布置在谐振时钟电路元件上。

8.根据权利要求1，其中，形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料被布置在所述半导体装置的后端线层中。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料包括另一电感器。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括使用所述另一个电感器的本征电容用于存储。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，谐振时钟电路元件邻近于另一谐振时钟电路元件，并且形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料被布置在第一导电材料和第二导电材料中的至少一个的至少一部分上方。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括以比所述另一谐振时钟电路元件的调谐频率大至少一个数量级的频率调谐所述谐振时钟电路元件。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，第一谐振时钟电路和第二谐振时钟电路中的至少一个还包括耦合到谐振时钟电路元件的一组缓冲器，并且其中，形成第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的磁性材料被布置在将所述一组缓冲器连接到所述谐振时钟电路元件的导电材料的至少一部分的上方。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，第一磁性层和第二磁性层利用第一谐振时钟电路和第二谐振时钟电路的时钟信号来减小谐振时钟电路元件的寄生电容的影响。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，第一谐振时钟电路和第二谐振时钟电路的时钟信号被第一磁性层和第二磁性层利用以减小谐振时钟电路元件的固有电容的影响。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，第一谐振时钟电路和第二谐振时钟电路具有多个谐振模式。