[发明专利]利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法在审
申请号: | 201880033794.8 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN110651357A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 李性中;金玟中;具滋鹏;权相民 | 申请(专利权)人: | 吉佳蓝科技股份有限公司;株式会社韩国帕沃那 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;G03F7/00;H01L21/027 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 金鲜英;张敬强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微图案 金属层 去除 等离子蚀刻工序 紫外线固化树脂 压印 固化 等离子蚀刻 涂布紫外线 玻璃基板 固化树脂 倾斜蒸镀 紫外线 母模 加压 照射 侧面 | ||
本发明提供一种利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法,其包括:在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序,以形成微图案强化部的步骤;执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
技术领域
本发明涉及一种当利用通过执行压印工序并照射紫外线而形成的微图案执行去除金属层的等离子蚀刻工序时,在微图案的一侧面与上面形成微图案强化部,从而能够有效地去除金属层的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法。
背景技术
近来,如下方法受到关注:通过在玻璃基板或在薄片上涂布紫外线固化树脂后接触执行电子束光刻等的工序而制作成的微图案母模来形成微图案,向微图案照射紫外线来固化之后,利用被固化的微图案执行等离子蚀刻,从而形成所需要的图案。
上述的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法的优点在于能够容易地形成微图案,然而相反地,由于在金属层上形成所需要的图案时,被压印的微图案在执行等离子蚀刻工序期间没有得到充分的维持,因而难以在金属层上有效地形成所需要的图案。
本发明的背景技术于2006年1月27日在韩国专利局以公开专利公报10-2006-0008663号公开。
发明内容
技术课题
因此,本发明旨在解决现有技术存在的问题,本发明所要解决的技术课题是提供一种当利用通过执行压印工序并照射紫外线而形成的微图案执行去除金属层的等离子蚀刻工序时,在微图案的一侧面与上面形成微图案强化部,从而能够有效地去除金属层的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法。
本发明所要解决的技术课题并不仅限于上面所提及的技术课题,本发明所属领域的一般技术人员通过以下记载可以准确地理解没有被提及的其他技术课题。
技术方案
为实现上述的目的,本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法包括:在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序,以形成微图案强化部的步骤;执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法在所述形成微图案强化部的步骤中,所述微图案强化部优选由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
本发明的另一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法包括:在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序之后,对被固化的所述微图案的另一侧面与上面执行倾斜蒸镀,以形成微图案强化部的步骤;执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中因以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉佳蓝科技股份有限公司;株式会社韩国帕沃那,未经吉佳蓝科技股份有限公司;株式会社韩国帕沃那许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880033794.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造