[发明专利]可变形蓄能器在审
申请号: | 201880031823.7 | 申请日: | 2018-02-19 |
公开(公告)号: | CN110710029A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 蒂里·杰尼齐安;罗杰·德拉特 | 申请(专利权)人: | 矿区通信研究所 |
主分类号: | H01M4/13 | 分类号: | H01M4/13;H01M4/70;H01M10/04;H01M10/052;H01M10/0525;H01M10/054;H01M10/0585;H01M6/16;H01M6/40 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 刘明海;胡彬 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 集流体 沉积 电解质 可变形 正极 负极 组柱 彼此面对 离子物质 蓄能器 浸没 界定 占据 | ||
1.一种可变形蓄能器,其包含:
a.第一可变形平面基底和第二可变形平面基底(1、1'),
b.至少一个第一可拉伸集流体(2a、2b、...),其靠近并沿着至少一个第一曲线部分沉积在第一基底的至少一部分面上,所述第一曲线部分的长度大于其两端之间的距离,
c.至少一个第二可拉伸集流体(2a'、2b'、...),其靠近至少一个第二曲线并在至少一个第二曲线的每一侧沉积在第二基底的至少一部分面上,所述第二曲线的长度大于其两端之间的距离,
d.负极,其由沉积在所述至少一个第一集流体(2a、2b、...)上的第一组柱(4)组成,所述第一组柱在所述第一集流体的表面上彼此间隔,所述第一组柱(4)的柱的高度在1μm与1000μm之间且宽度在1μm与100μm之间,
e.正极,其由沉积在所述至少一个第二集流体(2a'、2b'、...)上的第二组柱(4')组成,所述第二组柱在所述第二集流体的表面上彼此间隔,所述第二组柱(4')的柱的高度在1μm与1000μm之间且宽度在1μm与100μm之间,
f.允许离子物质转移的电解质,第一基底和第二基底的分别沉积有至少一个第一集流体和至少一个第二集流体的面彼此面对放置并且界定由所述电解质占据的体积(5),所述负极(4)和所述正极(4')的柱浸在电解质中。
2.根据权利要求1所述的蓄能器,其中所述电解质是一种包含垂悬氢键的聚合物。
3.根据前述权利要求所述的蓄能器,其中第一组的第一个柱的高度小于第一高度,并且面对此第一个柱的第二组的第二柱的高度小于第二高度,围绕所述第一个柱将彼此面对的第一基底和第二基底的面分开的距离大于第一高度和第二高度的总和。
4.根据前述权利要求所述的蓄能器,其中所述集流体的宽度在100μm与400μm之间。
5.根据前述权利要求所述的蓄能器,其中所述柱间隔的距离在0.1μm与20μm之间。
6.根据前一权利要求所述的蓄能器,其中所述柱间隔的距离在2μm与10μm之间。
7.根据前一权利要求所述的蓄能器,其中所述柱的高度在10μm与100μm之间。
8.根据前一权利要求所述的蓄能器,其中所述柱的宽度在2μm与10μm之间。
9.一种制造根据前述权利要求中任一项所述的蓄能器的方法,其包含以下步骤:
a.制备第一基底和第二基底;
b.在第一基底的至少一部分面上靠近并沿着至少一个第一曲线部分沉积至少一个第一集流体(2a、2b、...),所述第一曲线部分的长度大于其两端之间的距离,
c.在第二基底的至少一部分面上靠近至少一个第二曲线并在至少一个第二曲线的每一侧沉积至少一个第二集流体(2a'、2b'、...),所述第二曲线的长度大于其两端之间的距离,
d.在所述至少一个第一集流体(2a、2b、...)上沉积由第一组柱(4)组成的负极,所述第一组柱在第一集流体的表面上彼此间隔,
e.在所述至少一个第二集流体(2a'、2b'、...)上沉积由第二组柱(4')组成的正极,所述第二组柱在第二集流体的表面上彼此间隔,
f.在第一基底和第二基底的分别沉积有至少一个第一集流体和至少一个第二集流体的面上沉积电解质,同时将负极(4)和正极(4')的柱浸入电解质中,然后将这些面彼此面对放置,
或者
将第一基底和第二基底的分别沉积有至少一个第一集流体和至少一个第二集流体的面彼此面对放置,然后在由这些面界定的体积(5)中沉积电解质,同时将负极(4)和正极(4')的柱浸入电解质中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矿区通信研究所,未经矿区通信研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880031823.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。