[发明专利]固态摄像装置和电子设备有效
| 申请号: | 201880019824.X | 申请日: | 2018-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN110447105B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 安茂博章;江尻洋一;本庄亮子 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8238;H01L21/8234;H01L27/092;H04N25/76;H01L29/78 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态摄像装置,其包括:
光电转换部,其响应于入射光而产生并保持电荷;
传输部,其包括垂直纳米线晶体管并传输在所述光电转换部中保持的所述电荷;
累积部,其包括不具有PN结的布线层并且累积由所述传输部传输的所述电荷,所述布线层连接到包括所述垂直纳米线晶体管的所述传输部的漏极;和
绝缘膜,其形成在所述光电转换部和形成所述传输部的所述垂直纳米线晶体管的栅极之间,所述绝缘膜是含杂质的绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其还包括:
复位部,其复位在所述累积部中累积的所述电荷;
转换部,其将在所述累积部中累积的所述电荷转换为电信号;和
选择部,其将由所述转换部转换的所述电信号选择性地输出到后一部件,
其中,所述复位部、所述转换部和所述选择部中的至少一者包括垂直纳米线晶体管。
3.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,
在形成所述传输部的所述垂直纳米线晶体管的与所述光电转换部连接的源极的表面中,通过从所述含杂质的绝缘膜扩散的杂质来钉扎费米能级。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的固态摄像装置,其中,
所述垂直纳米线晶体管相对于基板在垂直方向上形成具有50nm以下的直径的半导体柱,使得所述半导体柱的一端用作源极,所述半导体柱的另一端用作漏极,并且用于控制导通状态的栅极形成在所述半导体柱的外周边。
5.一种固态摄像装置,其包括:
光电转换部,其响应于入射光而产生并保持电荷;
传输部,其传输在所述光电转换部中保持的所述电荷;
累积部,其累积由所述传输部传输的所述电荷,其中,所述累积部包括不具有PN结的布线层,所述布线层连接到包括垂直纳米线晶体管的所述传输部的漏极;
绝缘膜,其形成在所述光电转换部和形成所述传输部的所述垂直纳米线晶体管的栅极之间,所述绝缘膜是含杂质的绝缘膜;
复位部,其复位在所述累积部中累积的所述电荷;
转换部,其将在所述累积部中累积的所述电荷转换为电信号;和
选择部,其将由所述转换部转换的所述电信号选择性地输出到后一部件,
其中,所述传输部、所述复位部、所述转换部和所述选择部中的至少一者包括垂直纳米线晶体管。
6.一种固态摄像装置,其包括:
光电转换部,其形成在基板中;
晶体管,其传输在所述光电转换部中生成的电荷;和
布线层,其形成在所述基板上并且连接到所述晶体管,所述布线层不具有PN结;
其中,所述晶体管具有在相对于所述基板垂直的方向上延伸的半导体区域、形成在所述半导体区域周围的绝缘膜以及栅极,所述绝缘膜被夹持在所述栅极和所述半导体区域之间;所述绝缘膜是含杂质的绝缘膜。
7.根据权利要求6所述的固态摄像装置,其中,
所述半导体区域形成为柱形,并且
所述半导体区域的一端连接到所述布线层,并且所述半导体区域的另一端连接到所述光电转换部。
8.根据权利要求6或7所述的固态摄像装置,其中,
所述电荷累积在由所述布线层和所述基板形成的电容中。
9.一种安装有根据权利要求1至8中任一项所述的固态摄像装置的电子设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880019824.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:传感器芯片和电子设备
- 下一篇:参数放大器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





