[发明专利]固态摄像装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 201880019824.X 申请日: 2018-03-16
公开(公告)号: CN110447105B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 安茂博章;江尻洋一;本庄亮子 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8238;H01L21/8234;H01L27/092;H04N25/76;H01L29/78
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 摄像 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种固态摄像装置,其包括:

光电转换部,其响应于入射光而产生并保持电荷;

传输部,其包括垂直纳米线晶体管并传输在所述光电转换部中保持的所述电荷;

累积部,其包括不具有PN结的布线层并且累积由所述传输部传输的所述电荷,所述布线层连接到包括所述垂直纳米线晶体管的所述传输部的漏极;和

绝缘膜,其形成在所述光电转换部和形成所述传输部的所述垂直纳米线晶体管的栅极之间,所述绝缘膜是含杂质的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其还包括:

复位部,其复位在所述累积部中累积的所述电荷;

转换部,其将在所述累积部中累积的所述电荷转换为电信号;和

选择部,其将由所述转换部转换的所述电信号选择性地输出到后一部件,

其中,所述复位部、所述转换部和所述选择部中的至少一者包括垂直纳米线晶体管。

3.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,

在形成所述传输部的所述垂直纳米线晶体管的与所述光电转换部连接的源极的表面中,通过从所述含杂质的绝缘膜扩散的杂质来钉扎费米能级。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的固态摄像装置,其中,

所述垂直纳米线晶体管相对于基板在垂直方向上形成具有50nm以下的直径的半导体柱,使得所述半导体柱的一端用作源极,所述半导体柱的另一端用作漏极,并且用于控制导通状态的栅极形成在所述半导体柱的外周边。

5.一种固态摄像装置,其包括:

光电转换部,其响应于入射光而产生并保持电荷;

传输部,其传输在所述光电转换部中保持的所述电荷;

累积部,其累积由所述传输部传输的所述电荷,其中,所述累积部包括不具有PN结的布线层,所述布线层连接到包括垂直纳米线晶体管的所述传输部的漏极;

绝缘膜,其形成在所述光电转换部和形成所述传输部的所述垂直纳米线晶体管的栅极之间,所述绝缘膜是含杂质的绝缘膜;

复位部,其复位在所述累积部中累积的所述电荷;

转换部,其将在所述累积部中累积的所述电荷转换为电信号;和

选择部,其将由所述转换部转换的所述电信号选择性地输出到后一部件,

其中,所述传输部、所述复位部、所述转换部和所述选择部中的至少一者包括垂直纳米线晶体管。

6.一种固态摄像装置,其包括:

光电转换部,其形成在基板中;

晶体管,其传输在所述光电转换部中生成的电荷;和

布线层,其形成在所述基板上并且连接到所述晶体管,所述布线层不具有PN结;

其中,所述晶体管具有在相对于所述基板垂直的方向上延伸的半导体区域、形成在所述半导体区域周围的绝缘膜以及栅极,所述绝缘膜被夹持在所述栅极和所述半导体区域之间;所述绝缘膜是含杂质的绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的固态摄像装置,其中,

所述半导体区域形成为柱形,并且

所述半导体区域的一端连接到所述布线层,并且所述半导体区域的另一端连接到所述光电转换部。

8.根据权利要求6或7所述的固态摄像装置,其中,

所述电荷累积在由所述布线层和所述基板形成的电容中。

9.一种安装有根据权利要求1至8中任一项所述的固态摄像装置的电子设备。

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