[发明专利]传感器芯片和电子设备在审
| 申请号: | 201880018703.3 | 申请日: | 2018-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN110447104A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
| 发明(设计)人: | 松本晃 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/107 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
| 地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载流子 半导体基板 传感器芯片 电子设备 光电转换 片上透镜 像素区域 倍增 背面照射型 高效使用 入射 雪崩 凝聚 应用 | ||
1.一种传感器芯片,该传感器芯片包括:
半导体基板,在该半导体基板中,在多个像素区域中的每一个中设置使借助光电转换生成的载流子倍增的至少一个或更多个雪崩倍增区域;和
片上透镜,该片上透镜使在所述半导体基板上入射的光凝聚,
其中,多个所述片上透镜设置在所述像素区域中的一个中。
2.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
布线层,该布线层层压在所述半导体基板的正面侧上,并且包括反射光的布线,
其中,所述传感器芯片是用光照射所述半导体基板的背面的背面照射型。
3.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
布线层,该布线层层压在所述半导体基板的正面侧上,
其中,所述传感器芯片是用光照射所述半导体基板的正面的正面照射型。
4.根据权利要求1所述的传感器芯片,其中,所述半导体基板中使用硅。
5.根据权利要求1所述的传感器芯片,其中,所述半导体基板中使用适于检测红外光的材料。
6.根据权利要求1所述的传感器芯片,其中,当在平面图中观察所述半导体基板时,多个所述片上透镜以沿纵向设置的片上透镜的数量与沿横向设置的片上透镜的数量彼此相等的这种方式设置。
7.根据权利要求1所述的传感器芯片,其中,多个所述片上透镜各以均匀的尺寸形成。
8.根据权利要求1所述的传感器芯片,其中,多个所述片上透镜以不同的尺寸形成,并且
当在平面图中观察所述半导体基板时,设置在中心部分处的所述片上透镜以比设置在外围部分中的所述片上透镜的尺寸更大的尺寸形成。
9.根据权利要求8所述的传感器芯片,其中,在所述外围部分中设置的所述片上透镜以在所述片上透镜中的每两个之间不设置间隙的这种方式设置。
10.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
内透镜,该内透镜设置在所述半导体基板与多个所述片上透镜之间,并且将由多个所述片上透镜凝聚的光凝聚在所述像素区域的中心上。
11.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
带通滤光片,该带通滤光片设置在所述半导体基板与多个所述片上透镜之间,并且仅允许在预定波长范围内的光通过。
12.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
遮光膜,该遮光膜被形成为在所述半导体基板的光照射表面中包围在所述像素区域中的一个中设置的多个所述片上透镜。
13.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
透镜间隔板,该透镜间隔板被形成为在所述半导体基板的光照射表面中将多个所述芯片上透镜彼此分离。
14.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
绝缘膜,该绝缘膜嵌入沟槽中,该沟槽被形成为在所述半导体基板中包围所述像素区域中的一个。
15.根据权利要求1所述的传感器芯片,还包括:
金属膜,该金属膜嵌入沟槽中,该沟槽被形成为在所述半导体基板中包围所述像素区域中的一个。
16.一种电子设备,该电子设备包括:
传感器芯片,该传感器芯片具有:
半导体基板,在该半导体基板中,在多个像素区域中的每一个中设置使借助光电转换生成的载流子倍增的至少一个或更多个雪崩倍增区域;和
片上透镜,该片上透镜凝聚在所述半导体基板上入射的光,
多个所述片上透镜设置在所述像素区域中的一个中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





