[发明专利]摄像装置和电子设备有效
| 申请号: | 201880018106.0 | 申请日: | 2018-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN110419107B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
| 发明(设计)人: | 熊谷至通;阿部高志;吉田辽人 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N23/50;H04N25/779 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,包括:
光电转换部,所述光电转换部被构造用于将接收的光转换为电荷;
保持部,所述保持部被构造用于保持从所述光电转换部传输的电荷;和
遮光部,所述遮光部被构造用于在所述光电转换部与所述保持部之间遮光,
其中,所述光电转换部、所述保持部和所述遮光部形成在具有预定厚度的半导体基板中,
将所述电荷从所述光电转换部传输至所述保持部的传输区域的所述遮光部被形成为不穿透所述半导体基板的非穿透遮光部,并且所述传输区域之外的所述遮光部被形成为穿透所述半导体基板的穿透遮光部,其中,所述非穿透遮光部形成在所述光电转换部和所述保持部之间,
所述保持部设置在相对于所述光电转换部偏移半个间距的位置处,使得用于控制所述电荷从所述光电转换部传输至所述保持部的传输控制栅极形成在所述光电转换部和在垂直方向上与所述光电转换部相邻的另一光电转换部之间。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
当所述光电转换部的一条边的长度为1时,所述非穿透遮光部的长度为1/5或更大。
3.根据权利要求1或2所述的摄像装置,其中,
所述非穿透遮光部形成在所述半导体基板的厚度的一半以上的深度处。
4.根据权利要求1或2所述的摄像装置,其中,
所述非穿透遮光部形成在所述半导体基板的厚度的一半以下的深度处。
5.根据权利要求1或2所述的摄像装置,还包括OFG栅极,其中,
所述非穿透遮光部形成在布置有所述OFG栅极的一侧。
6.根据权利要求1或2所述的摄像装置,还包括
防回流栅极,所述防回流栅极被构造用于防止所述电荷从所述保持部回流至所述光电转换部。
7.根据权利要求6所述的摄像装置,其中,
所述防回流栅极是所述非穿透遮光部的一部分并且被形成为向所述光电转换部侧突出的形状。
8.根据权利要求1或2所述的摄像装置,其中,
所述传输控制栅极在所述非穿透遮光部的一部分中以向所述光电转换部侧突出的形状而形成。
9.根据权利要求1或2所述的摄像装置,其中,
设置有片上透镜以使所述片上透镜的中心位于所述光电转换部的中央部中。
10.根据权利要求1或2所述的摄像装置,其中,
片上透镜设置在所述光电转换部上的远离所述非穿透遮光部的位置处。
11.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,
所述遮光部形成在除了与所述光电转换部上的所述片上透镜的聚光直径相符的区域之外的区域中。
12.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,
当排列成阵列时,所述片上透镜被布置为能够保持光学对称性。
13.根据权利要求1或2所述的摄像装置,其中,
形成在像素之间的所述遮光部穿透所述半导体基板。
14.一种电子设备,包括:
摄像装置,所述摄像装置是如权利要求1至13中任一项所述的摄像装置;和处理单元,所述处理单元被构造用于处理来自所述摄像装置的信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





