[发明专利]液晶装置及其制造方法、以及化合物有效
申请号: | 201880011923.3 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN110300923B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 植阪裕介 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;C07D213/74;C07D295/096;C07F7/18;C07C69/54;C07C219/34;C07C229/60;C07D207/09;C07D209/82;C07D211/26;C07F9/09;C08F2/44;C08F290/14 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本东京港*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 装置 及其 制造 方法 以及 化合物 | ||
本发明涉及一种液晶装置及其制造方法、以及化合物。所述液晶装置或液晶显示装置(10)包括:一对基板,分别具有导电膜(14)、导电膜(15);液晶层(12),配置在一对基板之间,且含有液晶;以及液晶控制层(13),通过聚合性单体的聚合而形成在液晶层(12)的基板侧的界面,并控制液晶的取向。在液晶显示装置(10)中,在一对基板中的至少一个基板上未形成液晶取向膜,液晶控制层(13)含有具有选自由含芴结构的基团、芳香族氨基及含氮芳香族杂环基所组成的群组中的至少一种部分结构的化合物A。根据本发明,能够提供一种不易产生DC残像及AC残像、并且不易引起初始取向不良的液晶装置及化合物。
相关申请的交叉参考
本申请基于2017年2月20日提出申请的日本专利申请编号2017-29004号,将其记载内容引用于此。
技术领域
本公开涉及一种液晶装置及其制造方法、以及化合物。
背景技术
作为液晶装置,除了以扭转向列(Twisted Nematic,TN)型、超扭转向列(SuperTwisted Nematic,STN)型等为代表的使用具有正介电各向异性的向列液晶的水平取向模式的液晶装置以外,还已知有使用具有负介电各向异性的向列液晶的垂直(homeotropic)取向模式的垂直取向(Vertical Alignment,VA)型液晶装置等各种液晶装置。
在液晶装置中,作为取向处理方式之一,已知有聚合物稳定取向(PolymerSustained Alignment,PSA)方式(例如,参照专利文献1)。PSA方式是一种如下技术:将液晶与聚合性单体一起预先混入至一对基板的间隙中来构筑液晶单元,然后,在对基板间施加电压的状态下对液晶单元照射紫外线,使聚合性单体聚合,由此在液晶层与基板的界面上形成聚合物层,由此表现出预倾角特性,从而控制液晶的初始取向。根据所述PSA技术,能够实现视场角的扩大及液晶分子响应的高速化,消除在多域垂直取向(MultidomainVertical Alignment,MVA)型面板中不可避免的透射率及对比度(contrast)不足的问题。
另外,近年来提出了在PSA方式的液晶装置中,在一对基板的表面不设置液晶取向膜,而通过将聚合性单体聚合而形成的聚合物层来控制液晶层中的液晶分子的取向(例如,参照专利文献2~专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2003-149647号公报
专利文献2:日本专利特开2015-99170号公报
专利文献3:国际公开第2013/133082号
专利文献4:日本专利第5667306号公报
发明内容
发明所要解决的问题
作为为了提高液晶装置的品质而要求的重要特性之一,可列举:残留直流(directcurrent,DC)小。若残留DC大,则在对液晶装置施加电压后断开电压的情况下,虽然已断开电压,但先前所显示的图像的影响会残留,成为产生所谓“残像”的原因。在代替液晶取向膜,而通过由聚合性单体的聚合所形成的聚合物层来进行液晶分子的取向控制的无取向膜技术中,与设置液晶取向膜的构成相比,液晶分子的取向控制性差,存在容易产生由残留DC引起的残像(DC残像)的倾向。
另外,在现有的无取向膜技术中,现状如下:由于液晶装置的长时间驱动而初始取向的方向逐渐发生偏移,因此容易产生被称为所谓“交流(alternating current,AC)残像”的烧印,与具有液晶取向膜的显示装置相比,在品质方面很差。另外,在利用无取向膜技术制造的液晶装置中,难以确定液晶的初始取向,在刚施加电压后容易产生取向不良。
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