[发明专利]不对称定位的防护环接触

说明书

根据实施例，一种设备(100)包括被构造为将高能辐射光子转换成电流的直接转换化合物半导体层(101)，所述直接转换化合物半导体层包括：位于直接转换化合物半导体层中的像素阵列，包括位于最外周边处的像素，其中像素包括信号焊盘(106)；环绕像素阵列的防护环(105)，其中位于最外周边处的像素最接近防护环；防护环接触焊盘(107)，其中防护环接触焊盘被布置在取代所述最外周边处的像素信号焊盘中的一些像素信号焊盘的位置处，并连接到防护环；其中防护环接触焊盘被进一步布置为相对于所述直接转换化合物半导体层的对称x轴和对称y轴不对称。其他实施例涉及包括根据设备的切片阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。

背景技术

在辐射成像中，采用基于直接转换化合物半导体的检测器和检测器阵列，以便将高能辐射，例如x射线光子，直接转换为电荷。它们通常由在电荷收集体(chargecollector)顶部直接生长的x射线光导体层与读出层(如室温半导体)组成。这些检测器通常以由多个切片(tile)构成的阵列的形式使用，以便可以生成具有更高分辨率的更大图像尺寸。

这些检测器的性能，特别是外围切片元件的性能，可能对于许多成像应用都是很重要的。线性、均匀性、稳定性和一致性都可与外围切片有关。对于许多应用，成像要求可能非常严格。对于使用室温半导体构建的切片式成像检测器，每个切片的边缘可能造成显著的不均匀性或可见的伪影。这已知是由于边缘附近的过高漏电流以及畸变电场引起的。切片边缘附近的伪影可能是不期望的。这些伪影被认为是由边缘像素的性能下降造成的。

已知的是，防护环可用来改善外围像素的表现。防护环通常是在检测器的像素化侧的同一表面上形成的，并施加与其相邻物体(例如地)相同的电势。防护环经由防护环接触焊盘与地连接。因此，依照防护环的尺寸，对边缘像素造成的电场畸变得到减少或消除。此外，侧壁泄漏电流被防护环收集。然而，共平面的防护环产生不活跃的空间区域，即具有防护环几何尺寸的死像素。此外，防护环接触焊盘将形成额外的死像素。这些对于切片式检测器边界或检测器边缘来讲是不期望的，所述切片式检测器边界或检测器边缘对不活跃的空间的容忍度可能有限。数字图像处理可能无法校正这些，或这样做的成本太高或过于繁琐。

发明内容

本发明内容用于以简化的形式介绍选择出的一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。本发明内容不意图确定所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不意图用于限制所要求保护主题的范围。

本发明的目的是提供不对称定位的防护环接触。该目的是通过独立权利要求的特征实现的。一些实施例在从属权利要求中进行了描述。根据实施例，一种设备包括被构造为将高能辐射光子转换为电流的直接转换化合物半导体层，所述直接转换化合物半导体层包括：位于直接转换化合物半导体层中的像素阵列，所述像素阵列包括位于最外周边处的像素，其中所述像素包括信号焊盘；环绕所述像素阵列的防护环，其中所述位于最外周边处的像素最接近所述防护环；防护环接触焊盘，其中所述防护环接触焊盘被布置在取代所述最外周边处的像素信号焊盘中的一些像素信号焊盘的位置处，并连接到所述防护环；其中所述防护环接触焊盘被进一步布置为相对于所述直接转换化合物半导体层的对称x轴和对称y轴不对称。

其他实施例涉及包括根据所述设备的切片阵列的检测器，以及包括高能辐射源和所述检测器的成像系统。

参考以下具体实施方式并结合附图，许多所附特征将变得更加容易理解。

附图说明

将参照附图并根据以下具体实施方式而更好地理解本说明，其中：

图1示出根据实施例的切片的截面的示意图，其示出直接转换化合物半导体层、集成电路层和基板层；

图2示出根据比较例的切片一角的俯视示意图；

图3示出根据实施例的切片一角的俯视示意图；

图4示出根据比较例的切片以及切片之间的间隙的俯视示意图；