[发明专利]不对称定位的防护环接触

权利要求书

1.一种具有不对称定位的防护环接触焊盘的设备，包括：

直接转换化合物半导体层，被构造为将高能辐射光子转换成电流，所述直接转换化合物半导体层包括：

位于所述直接转换化合物半导体层中的像素阵列，所述像素阵列包括位于最外周边处的像素，其中所述像素包括信号焊盘；

环绕所述像素阵列的防护环，其中所述位于最外周边处的像素最接近所述防护环；

防护环接触焊盘，被布置在所述最外周边处的像素阵列中，并连接到所述防护环；

其中所述最外周边包括所述信号焊盘和所述防护环接触焊盘；

其中，所述防护环接触焊盘被进一步布置为相对于所述直接转换化合物半导体层的对称x轴和对称y轴均不对称；并且

其中当从上方查看所述直接转换化合物半导体层时，对称x轴包括水平轴并且对称y轴包括垂直轴。

2.如权利要求1所述的设备，包括紧邻所述直接转换化合物半导体层放置的另一直接转换化合物半导体层，所述直接转换化合物半导体层的所述防护环接触焊盘和所述另一直接转换化合物半导体层的防护环接触焊盘被所述直接转换化合物半导体层和所述另一直接转换化合物半导体之间的间隙分离开，其中所述防护环接触焊盘被不对称地布置，使得至少一个所述防护环接触焊盘不位于所述防护环接触焊盘之一的x轴或y轴上。

3.如权利要求1所述的设备，包括紧邻所述直接转换化合物半导体层放置的另一直接转换化合物半导体层，使得所述直接转换化合物半导体层与所述另一直接转换化合物半导体层的侧部彼此相对，其中所述防护环接触焊盘被不对称地布置，使得位于所述侧部处的所述防护环接触焊盘不位于穿过所述防护环接触焊盘之一的x轴或y轴上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述直接转换化合物半导体层包括被构造为用于在室温下进行高能光子检测的半导体层。

5.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述直接转换化合物半导体层包括碲化镉层或碲化镉锌层。

6.如权利要求4所述的设备，所述直接转换化合物半导体层的每一侧部包括所述防护环接触焊盘。

7.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述防护环接触焊盘被构造为使所述防护环接地。

8.如权利要求1至3中任一项所述的设备，进一步包括位于所述直接转换化合物半导体层下方的集成电路层。

9.如权利要求8所述的设备，其中所述防护环接触焊盘将所述防护环经由所述直接转换化合物半导体层连接至所述集成电路层。

10.如权利要求8的设备，还包括位于所述集成电路层下方的基板层。

11.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述设备包括切片，其中所述切片包括所述直接转换化合物半导体层。

12.一种检测器，包括根据权利要求1至11中任一项所述的设备。

13.一种成像系统，包括：

高能辐射源；以及

根据权利要求12所述的检测器。