[发明专利]包含金的薄膜的气相沉积

权利要求书

1.一种用于在反应空间中在基底上形成包含金的薄膜的方法，所述方法包括：

交替地和顺序地使所述基底与气相金前体和气相第二反应物接触；

其中所述气相金前体包含至少一个包含硫或硒的配体和至少一个烷基配体；并且

其中所述金前体和所述第二反应物反应形成所述包含金的薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中交替地和顺序地使所述基底与气相金前体和气相第二反应物接触包括重复两次或更多次的沉积循环。

3.根据权利要求2所述的方法，所述沉积循环还包括在使所述基底与所述气相金前体接触之后从所述反应空间去除过量的气相金前体和反应副产物，如果有的话。

4.根据权利要求2所述的方法，所述沉积循环还包括在使所述基底与所述第二反应物接触之后从所述反应空间去除过量的第二反应物和反应副产物，如果有的话。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述金前体的金具有+III的氧化态。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含硫或硒的配体包含硫。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含硫或硒的配体包含硒。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述金前体包含一种或多种另外的中性加合物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述金前体包含二乙基二硫代氨基甲酸配体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述金前体包含Me₂Au(S₂CNEt₂)。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二反应物包含氧。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二反应物包含氧的反应性物种。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二反应物包含臭氧。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法具有约120℃至约220℃的沉积温度。

15.根据权利要求2所述的方法，其中当所述包含金的薄膜达到约20nm的厚度时，所述包含金的薄膜是连续的。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述包含金的薄膜具有约20nm至约50nm的厚度。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述包含金的薄膜具有小于约20μΩcm的电阻率。

18.根据权利要求2所述的方法，其中所述包含金的薄膜具有每个沉积循环大于约的生长速率。

19.根据权利要求2所述的方法，其中所述方法为原子层沉积(ALD)法。

20.根据权利要求2所述的方法，其中所述方法为循环化学气相沉积(CVD)法。

21.一种用于在反应空间中在基底上形成包含金的薄膜的原子层沉积(ALD)法，其中所述ALD法包括多个沉积循环，其中至少一个沉积循环包括：

交替地和顺序地使所述基底与气相金前体和气相第二反应物接触；

其中所述沉积循环重复两次或更多次以形成所述包含金的薄膜，并且

其中所述气相金前体的金具有+III的氧化态并且所述气相金前体包含至少一个硫供体配体和至少一个烷基配体。