[实用新型]高性能薄膜电阻无效
申请号: | 201120217033.3 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN202093910U | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 邓朝勇;雷远清;崔瑞瑞;张荣芬 | 申请(专利权)人: | 贵州大学 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C1/00;H01C1/14 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人: | 程新敏 |
地址: | 550003 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高性能薄膜电阻,包括绝缘基板,在绝缘基板上设有采用气相沉积法获得的电阻薄膜,在每个电阻薄膜的两侧及两侧边缘设有采用气相沉积法获得的引出电极及顶部电极,引出电极与顶部电极连接为一体,在电阻薄膜的顶面及顶部电极的顶面上设有采用气相沉积法获得的绝缘保护膜。本实用新型采用在绝缘基板上设有采用气相沉积法获得的电阻薄膜、电极以及绝缘保护膜,他们的厚度小,附着力强,能保证产品的质量稳定性,而且适合产业化生产。本实用新型结构简单,适用范围广,使用效果好。 | ||
搜索关键词: | 性能 薄膜 电阻 | ||
【主权项】:
一种高性能薄膜电阻,包括绝缘基板(4),其特征在于:在绝缘基板(4)上设有采用气相沉积法获得的电阻薄膜(3),在每个电阻薄膜(3)的两侧及两侧边缘设有采用气相沉积法获得的引出电极(1)及顶部电极(5),引出电极(1)与顶部电极(5)连接为一体,在电阻薄膜(3)的顶面及顶部电极(5)的顶面上设有采用气相沉积法获得的绝缘保护膜(2)。
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