[发明专利]在同一基板上组合不同散度的发光元件

权利要求书

1.一种光电设备，包括：

半导体基板；和

发光元件的单片阵列，所述发光元件的单片阵列形成在所述基板上并且包括多个外延层的外延结构，所述发光元件包括：

第一多个第一发射器，所述第一多个第一发射器被配置为在所述阵列中的相应第一位置处发射具有第一角散度的相应的第一光束；和

第二多个第二发射器，在所述第二多个第二发射器中，所述外延层中的一个或多个相对于所述第一发射器已被修改，使得所述第二发射器在所述阵列中的相应第二位置处发射具有第二角散度的相应的第二光束，所述第二角散度比所述第一角散度大至少50％，

其中所述单片阵列包括彼此相邻的晶胞的布置，其中每个晶胞包括一组能够用作垂直腔面发射激光器VCSEL的辐射器，并且其中在所述晶胞的至少一些中，所述辐射器中的至少一个通过修改所述外延层中的所述一个或多个而被转换为非相干发光元件。

2.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述第一发射器包括垂直腔面发射激光器VCSEL。

3.根据权利要求2所述的光电设备，其中所述第二发射器包括非相干发光元件。

4.根据权利要求3所述的光电设备，其中所述非相干发光元件包括谐振腔发光二极管RCLED。

5.根据权利要求4所述的光电设备，其中所述VCSEL包括具有第一数量的反射镜层的第一上部多层布拉格反射器，并且所述RCLED包括具有第二数量的反射镜层的第二上部多层布拉格反射器，所述第二数量小于所述第一数量。

6.根据权利要求2所述的光电设备，其中所述第一发射器包括第一VCSEL，并且所述第二发射器包括第二VCSEL。

7.根据权利要求6所述的光电设备，其中所述第一VCSEL具有第一光学孔径，并且所述第二VCSEL具有第二光学孔径，所述第二光学孔径小于所述第一光学孔径。

8.根据权利要求7所述的光电设备，其中所述第一VCSEL包括具有第一宽度的第一台面，并且所述第二VCSEL包括具有第二宽度的第二台面，所述第二宽度小于所述第一宽度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光电设备，其中所述晶胞中的至少一些中的所述辐射器的位置相比于所述相邻晶胞中的位置偏移。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的光电设备，其中所述第二位置与所述第一位置在所述阵列中穿插出现。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的光电设备，其中所述第一位置形成不相关图案。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的光电设备，其中所述第一发射器和所述第二发射器被耦接以单独驱动，使得所述设备发射来自所述第一发射器的所述第一光束以及来自所述第二发射器的所述第二光束中的任一者或两者。

13.根据权利要求12所述的光电设备，其中由所述第一发射器发射的所述第一光束在空间中的区域上形成光斑图案，而所述第二光束在所述区域上投射泛光照明。