[发明专利]图像传感器模组及其形成方法在审
申请号: | 201880002617.3 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN111295759A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 刘孟彬 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
地址: | 中国(上海)自由贸易试验*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 模组 及其 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器模组的形成方法,其特征在于,包括:
在第一载体晶圆上贴附第一晶圆的第一表面,所述第一晶圆具有多个第一芯片;
在第一晶圆的第二表面上形成永久键合层,所述永久键合层包括至少图形化键合层或透明键合层;
使第二芯片分别通过中间的永久键合层与第一晶圆的第一芯片键合;
所述第一芯片是图像传感器芯片和滤光片芯片中的一种,所述第二芯片是图像传感器芯片和滤光片芯片中的另一种;图像传感器具有面向滤光片芯片的感光区。
2.根据权利要求1所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于,
第一芯片是图像传感器芯片,第一芯片的第二表面包括:
感光区和第一芯片键合区上的多个连接垫;所述第一芯片与位于感光区外的永久键合层键合。
3.根据权利要求1所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于:
当永久键合层是透明键合层时,第一芯片和第二芯片的间距等于或小于透明键合层的厚度。
4.根据权利要求3所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于:透明键合层包括透明胶。
5.根据权利要求1所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于:当永久键合层是图形化键合层,第一芯片、第二芯片、和图形化键合层共同形成空腔;所述图像传感器芯片的感光区暴露于空腔内。
6.根据权利要求1所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于,还包括:采用光刻工艺过程形成图形化键合层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于:图形化键合层包括图形化干膜;所述图形化干膜的形成过程包括:
在第一芯片上形成一干膜;
采用光刻工艺过程图形化所述干膜以形成图形化干膜。
8.根据权利要求1所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于,还包括:
采用丝网印刷工艺过程形成图形化键合层;所述图形化键合层的材料为结构胶、UV-双面键合层、透明胶、或上述成分的组合。
9.根据权利要求1所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于,第一晶圆的第一表面贴附在第一载体晶圆上的过程包括:
第一晶圆的第二表面临时贴附在第二载体晶圆上;
减薄第二载体晶圆上第一晶圆的第一表面;
完成所述减薄过程后,在第一晶圆的第一表面临时贴附第一载体晶圆;
除去第二载体晶圆,从而暴露位于第一载体晶圆上第一晶圆的第二表面。
10.根据权利要求9所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于:
完成减薄过程后,第一晶圆的第二表面临时贴附在第二载体晶圆上的工艺和第一晶圆的第一表面临时贴附在第一载体晶圆的工艺均包括:
采用静电键合工艺,或者采用临时键合层实现临时贴附。
11.根据权利要求10所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于,当采用静电键合工艺时,所述形成方法包括:
在第一晶圆的第二表面上形成永久键合层的过程包括丝网印刷工艺。
12.根据权利要求10所述的图像传感器模组的形成方法,其特征在于:
当使用临时键合层时,所述临时键合层包括热释放层;所述热释放层具有多层结构的双面胶层;
所述多层结构包括发泡粘胶层、压敏层、和夹在发泡粘胶层和压敏层中间的聚合物膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的