[实用新型]外腔面光源VCSEL及其应用

说明书

本实用新型提供一种外腔面光源VCSEL及其应用，其中，所述外腔面光源VCSEL包括：面光源以及位于所述面光源出光侧的透镜；所述面光源包括：‑N面电极、衬底层、外延层、‑P面电极，所述‑P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，所述‑P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述透镜的尺寸与所述面光源的发光面积相对应，所述‑P面电极发出的光线经所述透镜的调节后均匀出射。本实用新型的外腔面光源VCSEL利用透镜对光束的调节作用，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。

技术领域

本实用新型涉及激光器技术领域，尤其涉及一种外腔面光源VCSEL及其应用。

背景技术

目前，广泛使用的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的横模普遍为高阶模，其存在如下问题：光斑不均匀，光强分布分散，光束发散角大，带宽宽等，从而给应用过程造成诸多不便。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种外腔面光源VCSEL及其应用，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种外腔面光源VCSEL，其包括：面光源以及位于所述面光源出光侧的透镜；

所述面光源包括：-N面电极、衬底层、外延层、-P面电极，所述-P面电极、外延层、衬底层、-N面电极自上而下依次层叠设置，所述-P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述透镜的尺寸与所述面光源的发光面积相对应，所述-P面电极发出的光线经所述透镜的调节后均匀出射。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，所述衬底层为半绝缘的半导体衬底层。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，所述外延层为高掺杂的半导体外延层。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，所述-P面电极为至少一个，所述-P面电极为多个时，多个-P面电极以阵列形式排布于所述外延层上。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，所述-P面电极为多个时，多个-P面电极通过金属电极相连接。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，所述多个发光芯片以非均匀或均匀阵列方式排布于所述半导体外延层上。适用于单一电极驱动或多电极分块驱动的列阵结构。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，适用于任何波长段，任何半导体材料体系的面发射激光器(VCSEL)。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，外腔结构适用于随机偏振结构，或偏振控制的结构。

作为本实用新型的外腔面光源VCSEL的改进，所述外腔面光源VCSEL还包括光学支架，所述透镜通过所述光学支架设置于所述面光源的出光侧，所述光学支架上设置有所述透镜的安装槽。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种三维成像系统，其包括如上所述的外腔面光源VCSEL。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种激光雷达，其包括如上所述的外腔面光源VCSEL。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种激光照明灯，其包括如上所述的外腔面光源VCSEL。