[实用新型]外腔面光源VCSEL及其应用有效
| 申请号： | 201822269181.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209544818U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘恒;谭少阳;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/183;G01S7/481;F21K9/23;F21K9/69;F21Y115/30 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 面光源 透镜 外腔 本实用新型 依次层叠 衬底层 外延层 源层 低阶模光束 光束发散角 高阶模 出射 减小 应用 带宽 发光 转化 | ||
1.一种外腔面光源VCSEL，其特征在于，所述外腔面光源VCSEL包括：面光源以及位于所述面光源出光侧的透镜；
所述面光源包括：-N面电极、衬底层、外延层、-P面电极，所述-P面电极、外延层、衬底层、-N面电极自上而下依次层叠设置，所述-P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述透镜的尺寸与所述面光源的发光面积相对应，所述-P面电极发出的光线经所述透镜的调节后均匀出射。
2.根据权利要求1所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，所述衬底层为半绝缘的半导体衬底层。
3.根据权利要求1所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，所述外延层为高掺杂的半导体外延层。
4.根据权利要求3所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，多个发光芯片以非均匀或均匀阵列方式排布于所述半导体外延层上，适用于单一电极驱动或多电极分块驱动的列阵结构。
5.根据权利要求1所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，所述-P面电极为至少一个，所述-P面电极为多个时，多个-P面电极以阵列形式排布于所述外延层上。
6.根据权利要求5所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，所述-P面电极为多个时，多个-P面电极通过金属电极相连接。
7.根据权利要求1所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，适用于任何波长段，任何半导体材料体系的面发射激光器(VCSEL)。
8.根据权利要求1所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，适用于随机偏振结构，或偏振控制的结构。
9.根据权利要求1所述的外腔面光源VCSEL，其特征在于，所述外腔面光源VCSEL还包括光学支架，所述透镜通过所述光学支架设置于所述面光源的出光侧，所述光学支架上设置有所述透镜的安装槽。
10.一种三维成像系统，其特征在于，所述三维成像系统包括如权利要求1至6任一项所述的外腔面光源VCSEL。
11.一种激光雷达，其特征在于，所述激光雷达包括如权利要求1至9任一项所述的外腔面光源VCSEL。
12.一种激光照明灯，其特征在于，所述激光照明灯包括如权利要求1至9任一项所述的外腔面光源VCSEL。
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