[实用新型]管路去气泡装置有效
申请号: | 201822241564.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209216934U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 黄景山;张弢;蒋德念 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 去泡器 去气泡装置 真空泵 去除 缓存 机台 电气执行机构 半导体加工 本实用新型 阀门管路 管路液体 控制流体 流量变动 流体 夹杂 晶圆 停线 废品 电路 报警 携带 占据 | ||
本实用新型提供一种一种管路去气泡装置,包含一管路,该管路用以输送一液体,该液体中带有一气体;一去泡器,该去泡器为一容器,用以缓存该液体并将该气体从该液体中分离、去除;一真空泵,该真空泵与该去泡器连接,用以将该气体抽除;该去泡器连接在该管路中。并通过连接有控制流体的阀门管路等、控制电气执行机构的电路等,实现了将管路液体中的携带的气体(形成气泡)去除,从而使得到达晶圆处的流体成分、流量更加稳定(不因气泡占据很大的流量),而且减少了半导体加工机台因流量变动引起的报警,减少由于夹杂气泡而导致的停线或废品产生。
技术领域
本实用新型与半导体加工设备台机有关,特别是管路去气泡装置。
背景技术
半导体加工过程中,容易产生一些污染物,如微粒、有机物、金属、原生氧化物等。需要用化学原料将其清洗掉。目前常用的清洗剂有,硫酸、过氧化氢(也称双氧水)、水混合液,氢氧化铵、过氧化氢、水混合液,氯化氢、过氧化氢、水混合液等。以上各种溶液均包含一些容易产生气体的成分,且为了混合均匀通常需要采用氮气来对溶液进行混合。
在铜电镀时,整片硅片都被镀上了一层铜膜。为了防止在随后的化学机械研磨工艺时,硅片边缘的铜膜不容易磨掉甚至发生铜膜脱落,所以一定要对硅片边缘的铜膜进行清洗腐蚀掉。不同的产品需要洗掉的铜膜宽度也不一样。每次洗边的化学品的用量也很少,所以管路较细,一旦有气泡就会严重影响洗边的效果,甚至会引起流量开关报警,导致机台停机,从而使产品受到影响或报废。由于双氧水稀释搅拌用氮气,且其本身容易分解产生气泡。
如何能够去除管路中的气泡成为半导体清洗、加工工艺中需要考虑的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种管路去气泡装置,主要是为了减少管路中气泡,能够避免清洗不充分和因流量问题造成机台报警等目的。
于是,本实用新型提供一种管路去气泡装置,包含:
一管路,该管路用以输送一液体,该液体中带有一气体;
一去泡器,该去泡器为一容器,用以缓存该液体并将该气体从该液体中分离、去除;
一真空泵,该真空泵与该去泡器连接,用以将该气体抽除;
该去泡器连接在该管路中。
优选地,该液体包含过氧化氢。
优选地,还包含一鼓泡器,该鼓泡器鼓动混合该液体。
优选地,该鼓泡器连接一氮气,该氮气鼓动混合该液体。
优选地,还包含一气动隔膜泵,该气动隔膜泵与该管路相连,用以将该液体输送到喷洒位置。
优选地,还包含一阀门一,该阀门一连接在该去泡器和该真空泵之间。
优选地,该气动隔膜泵包含一开关控制电路一。
优选地,该阀门一包含一开关控制电路二。
优选地,还包含一气动隔膜泵,该气动隔膜泵包含一开关控制电路一,该开关控制电路一和该开关控制电路二之间电路连接。用以实现当该开关控制电路一开启时,该开关控制电路二开启,当该开关控制电路一关闭时,该开关控制电路二关闭。
优选地,还包含一选择开关,该真空泵包含一电机一和一开关控制电路三,该气动隔膜泵包含一电机二,该阀门一包含一电磁铁一,该开关控制电路一包含一线圈一和一常开触点一,该开关控制电路二包含一线圈二和一常开触点二,该开关控制电路三包含一线圈三和一常开触点三,该选择开关、该线圈一、该线圈二和该线圈三串联连接至控制电源两端,该常开触点一连接该电机二,该常开触点二连接该电磁铁一,该常开触点三连接该电机一。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822241564.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种封测设备真空拾取头
- 下一篇:冷却水系统及铝刻蚀工艺机台
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造