[实用新型]一种晶圆承片台有效
申请号: | 201822203879.6 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN209357708U | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 钱勇 | 申请(专利权)人: | 精典电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 200131 上海浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸气孔 晶圆 通孔 凸起圆环结构 承片台 固定盘 支撑柱 种晶 真空吸气管道 本实用新型 互不连通 金属微粒 晶圆表面 驱动连接 升降机构 固定力 沾染 报废 | ||
一种晶圆承片台,包括固定盘和支撑柱,固定盘是用于固定晶圆的平台,所述固定盘上设置若干个凸起圆环结构,于若干个所述凸起圆环结构间设置若干个吸气孔和通孔,所述吸气孔和所述通孔互不连通,且设置有所述通孔的所述凸起圆环结构间不设置所述吸气孔,所述吸气孔连接真空吸气管道,所述通孔下方对应设置支撑柱,所述支撑柱同升降机构驱动连接。本实用新型的有益效果为:该承片台在有效降低晶圆表面沾染金属微粒可能性的同时为晶圆提供一个稳定的固定力,减少了晶圆的报废量,并提高了晶圆的工艺质量。
技术领域
本实用新型涉及涉及晶圆处理设备领域,尤其涉及一种晶圆的承片台。
背景技术
目前的承片台只作为晶圆的一个放置台,对放置于台上的晶圆缺少约束固定部件,在对晶圆进行工艺处理过程中,承片台上遭受到外力将导致承片台上的晶圆出现位置滑移等问题,尤其针对晶圆固胶等工艺,晶圆的滑移会影响晶圆上表面粘胶分布的均匀性,粘胶的均匀直接关系到光刻工艺的质量,针对该种情况,需要设计一种对晶圆可以进行稳定固定的承片台。
此外,针对特定类型的半导体元器件而言,工艺上对晶圆表面的杂质沾染要求非常严格。尤其需要防止金属微粒的附着,因为晶圆表面一旦被金属微粒附着,在晶圆的后续加工工艺中,微粒中的金属原子会逐渐渗入到晶圆中,成为可移动的自由离子,浓度达到一定程度就会造成元器件失效。针对该种情况,需要设置一种可以降低晶圆金属污染的承片台。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆承片台,该承片台在有效降低晶圆表面沾染金属微粒可能性的同时为晶圆提供一个稳定的固定力,减少了晶圆的报废量,并提高了晶圆的工艺质量。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种晶圆承片台,包括固定盘和支撑柱,固定盘是用于固定晶圆的平台,所述固定盘上设置若干个凸起圆环结构,于若干个所述凸起圆环结构间设置若干个吸气孔和通孔,所述吸气孔和所述通孔互不连通,且设置有所述通孔的所述凸起圆环结构间不设置所述吸气孔,以此避免真空从通孔中泄露,所述吸气孔连接真空吸气管道,所述通孔下方对应设置支撑柱,所述支撑柱同升降机构驱动连接;支撑柱在升降机构的驱动下通过上升下降动作将晶圆置于固定盘上,吸气孔将真空引入由凸起圆环结构围成的若干个区域内,以便对晶圆进行吸附和固定,凸起圆环结构使得各个真空区域互相隔离,彼此不受影响,特别是在晶圆平整度较差的情况下,只要部分真空区域能够保持一个真空环境,即使其余区域因为晶圆的不平整而发生了真空泄漏,固定盘依然可以对晶圆提供一个可靠稳定的固定力;
相应的,在除所述凸起圆环结构外的固定盘上设置若干个吸气孔,该种设置方式比仅在凸起圆环结构间设置吸气孔的方式,增加了吸气孔的设置数量,继而增强了固定盘对晶圆的固定力;
相应的,所述通孔设置有3个,在固定盘上呈等边三角形排列,该种设置方式使得支撑柱也呈等边三角形排列,保证支撑柱对晶圆支撑的稳定性;
相应的,所述支撑柱包括实心结构和中空结构,于所述实心结构上设置所述中空结构,通过中空结构同晶圆支撑接触,可以极大的降低支撑柱同晶圆的接触面积,以此减少支撑柱对晶圆可能造成的污染面积;
相应的,所述中空结构包括陶瓷中空结构,采用陶瓷中空结构在减少支撑柱同晶圆的接触面积的同时避免金属微粒附着于晶圆表面,降低了晶圆报废的可能性。
本实用新型的有益效果为:一方面,凸起圆环结构的设置,使得各个真空区域互相隔离,彼此不受影响,特别是在晶圆平整度较差的情况下,只要部分真空区域能够保持一个真空环境,即使其余区域因为晶圆的不平整(例如翘曲)而发生了真空泄漏,固定盘依然可以对晶圆提供一个可靠稳定的固定力;另一方面,采用陶瓷中空结构在减少支撑柱同晶圆的接触面积的同时避免金属微粒附着于晶圆表面,降低了晶圆报废的可能性。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例所述的晶圆承片台的俯视结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造