[实用新型]一种提高背面发电的双面双玻组件有效
申请号: | 201822202382.2 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN209912884U | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 于琨;王占友;李会玲;郭明州;贺美亮;郑海陆;孙亚娟 | 申请(专利权)人: | 保定光为绿色能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/048 |
代理公司: | 11487 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李文丽 |
地址: | 074000 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合剂 背面 光伏 本实用新型 背板玻璃 盖板玻璃 高透射 透射光 粘接 醋酸乙烯共聚物EVA 产业化生产 定位胶带 发电单元 平面结构 区域边缘 双玻组件 反射光 分段式 锯齿状 密封体 拼接式 组件层 侧边 多列 固化 乙烯 发电量 发电 生产 | ||
本实用新型提出了一种提高背面发电的双面双玻组件,包括:由下至上设置的光伏用背板玻璃、背面粘合剂、多列发电单元、正面用粘合剂、光伏用盖板玻璃,光伏用背板玻璃和光伏用盖板玻璃的边缘的部分或全部采用平面结构;正面粘合剂采用高透乙烯‑醋酸乙烯共聚物EVA或POE,背面粘合剂采用白色EVA或POE。所述背面粘合剂与中间部分的连接采取采用定位胶带粘接或者采用锯齿状进行连接,以上在组件层压固化后,材料粘接在一起形成密封体。本实用新型增加从正面的透射光进而促进背面的反射光,采用区域边缘高透射材料增加透射光,粘合剂使用分段式/拼接式生产,起到边缘,主要是侧边高透射的效果,于产业化生产,可以升背面光的利用,提升背面发电量。
技术领域
本实用新型涉及光伏发电技术领域,特别涉及一种提高背面发电的双面双玻组件。
背景技术
目前双面双玻组件,背面的光电转换效率是正面的65%-90%,系统集成后系统发电功率相对于传统单面组件电站的增益约为4%-30%。然而,受制于地面条件及投资(单轴或双轴跟踪系统)。如何进一步提升双面组件的优势是摆在光伏电站投资者面前的重要问题。
专利(申请号为201810047939.1)公开了一种可提升发电量的双面太阳能电池组件,包括从上至下依次设置的盖板(一般为玻璃)、封装材料、电池串、封装材料和背板。其存在缺陷在于:网格状结构在电池片缝隙处实现高反射;然而由于粘合剂在层压机高温时产生伸缩,对准实际上精度并不易于控制。如果将缝隙处的高反材料宽度加宽,可能降低背面的透光效果,进而减弱背面的光吸收。此类方法需要考虑高反材料与电池片玻璃的粘合情况,并不会对电池片造成污染。网格状背板目前尚未商业化生产。
专利(申请号为201620380809.6)采取非工作区使用相变材料吸收组件工作室产生的热量,降低组件温度,进而提升太阳能电池的效率及发电量。其存在缺陷在于:相变材料的大规模商业化应用并不容易实现,而且需求经过严苛的可靠性验证。
专利(申请号为201710653911.8)在水面安装双玻组件,后方放置反光板,利用水面反射率(10-20%)高的特点,增加双玻组件的表面光吸收,进而提升发电量。另其存在缺陷在于:采用组件下部加长方式例如载有金属板或者是白色背板作为光的反射面,存在的问题是安装地点受限,且新增部件抗风等户外长期可靠性因素需要考虑。
一般而言双面组件的背面为草地、沙地、水泥地以及地面刷白漆时,其背面的发电增益分别为10%、12%、13%以及32%。由于光伏电站在设计过程为了避免遮挡等造成的热斑效应,组件阵列距离相对较远,而且正面反光很难直接反射至前一排组件的背面进行利用,在加上背面也是串联结构,单纯靠正面反射局部光增加导致的电流有限。
实用新型内容
本实用新型的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。
为此,本实用新型的目的在于提出一种提高背面发电的双面双玻组件。
为了实现上述目的,本实用新型的实施例提供一种提高背面发电的双面双玻组件,包括:由下至上设置的光伏用背板玻璃、背面粘合剂、多列发电单元、正面用粘合剂、光伏用盖板玻璃,其中,所述光伏用背板玻璃和光伏用盖板玻璃的中间区域采用压花设计,所述光伏用背板玻璃和光伏用盖板玻璃的边缘的部分或全部采用平面结构;其中,正面粘合剂采用高透乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA或POE,背面粘合剂采用白色EVA 或POE;所述背面粘合剂与中间部分的连接采取采用定位胶带粘接或者采用锯齿状进行连接,以上在组件层压固化后,材料粘接在一起形成密封体。
进一步,所述光伏用背板玻璃的减反射膜和光伏用盖板玻璃的减反射膜的厚度不同。
进一步,所述光伏用盖板玻璃的减反射膜采用123±2nm的AR减反射膜;所述光伏用背板玻璃的减反射膜采用125-135nm减反射膜。
进一步,所述多列发电单元背面的钝化层膜采用氮化硅膜,膜厚88-92nm,折射率2.10±0.03。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的