[实用新型]一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构有效
| 申请号： | 201822141027.9 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209312774U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王静辉;张乾;袁凤坡;李晓波;温鑫鑫;杨私私 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 刘陶铭 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 芯片结构 氮化硅钝化层 电流崩塌效应 表面陷阱 材料损伤 隔离保护 结构电阻 晶格失配 铝镓氮层 内部材料 芯片使用 抑制材料 纵向击穿 缓冲层 内力 芯片 缓解 安全 保证 | ||
1.一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，包括由下往上依次设置的衬底层(1)、氮化铝层(2)、氮化镓外延层(3)、插入层(4)、势垒层(5)及设置在势垒层(5)之上的源极、漏极及栅极，其特征在于：所述的氮化铝层(2)与氮化镓外延层(3)之间增设有铝镓氮层(6)，所述的势垒层(5)之上增设有氮化硅钝化层(7)，所述的氮化硅钝化层(7)为帽状结构罩扣在氮化镓外延层(3)与势垒层(5)之外，所述的氮化硅钝化层(7)与铝镓氮层(6)连接。
2.根据权利要求1所述的一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，其特征在于：所述的氮化硅钝化层(7)之上还设置有二氧化硅钝化层(8)。
3.根据权利要求1所述的一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，其特征在于：所述的铝镓氮层(6)厚度为1500-1650nm。
4.根据权利要求1所述的一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，其特征在于：所述的插入层(4)厚度为1-5nm。
5.根据权利要求1所述的一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，其特征在于：所述的氮化硅钝化层(7)包裹在源极、漏极及栅极的侧壁。
6.根据权利要求2所述的一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，其特征在于：所述的源极、漏极及栅极埋入在二氧化硅钝化层(8)中。
7.根据权利要求2所述的一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，其特征在于：所述的二氧化硅钝化层(8)厚度为1000-1050nm。
8.根据权利要求1所述的一种可靠性高的GaN HEMT芯片结构，其特征在于：所述的氮化硅钝化层(7)厚度为450-620nm。
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