[实用新型]一种在线添加高熔点金属源的装置有效
申请号: | 201822080852.2 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN209906869U | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 徐义;岳志远 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/06 |
代理公司: | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高熔点金属 承载结构 连通管 在线添加 本实用新型 凹陷区 太阳能薄膜电池 缩短生产周期 自身重力作用 第一腔室 断电状态 工作效率 交变电流 通电状态 真空环境 真空状态 蒸发原料 液位 固化 加热 液化 断电 连通 保证 | ||
本实用新型涉及太阳能薄膜电池技术领域,具体涉及一种在线添加高熔点金属源的装置,包括:第一承载结构,内装有高熔点金属源,设置于处于真空环境的第一腔室中;第二承载结构,通过连通管与第一承载结构连通;连通管具有凹陷区;线圈,绕设于第二承载结构和连通管周缘,具有在通入交变电流后加热第二承载结构内的高熔点金属源,将高熔点金属源液化后在自身重力作用和真空状态下流入第一承载结构中的通电状态,和在线圈断电后液态的高熔点金属源固化在凹陷区的断电状态,在线添加高熔点金属源时,第二承载结构的液位高于连通管的最高点设置。本实用新型提供的装置可在线添加高熔点金属蒸发原料、保证工作效率、缩短生产周期。
技术领域
本实用新型涉及太阳能薄膜电池技术领域,具体涉及一种在线添加高熔点金属源的装置。
背景技术
CIGS是太阳能薄膜电池CuInxGa(1-x)Se2的简写,主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒),具有光吸收能力强,发电稳定性好、转化效率高,白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等优点。在CIGS生产加工中使用到的铜、铟熔点较高,室温下呈固态。为了使铜、铟在坩埚中的蒸发速率得到良好的控制,通常会使用一定容量的坩埚进行填装,但是坩埚容量有限,同时各原料使用过程中的剩余量不均匀,蒸发较快的个别蒸发源容易成为生产周期的瓶颈,导致生产周期受容量限制。例如,当坩埚内部铜、铟蒸发逐渐耗尽时,为了保证蒸发速率,需要向坩埚内添加原料,但是由于CIGS腔室为密闭环境无法在生产过程中向已剩余量不多的坩埚添加铜、铟原料,只能将设备降温破空后取出坩埚进行填装,即采用停机维护的方式加料,这样大大降低了工作效率。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中无法在CIGS生产中直接添加铜、铟等高熔点常温下呈固态的金属源、只能停机进行加料、从而影响工作效率、延长生产周期的技术缺陷,从而提供一种可在线添加铜、铟等高熔点金属蒸发原料、保证工作效率、缩短生产周期的在线添加高熔点金属源的装置。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案如下:
一种在线添加高熔点金属源的装置,包括:第一承载结构,内装有待挥发的高熔点金属源,设置于处于真空环境的第一腔室中;第二承载结构,通过连通管与所述第一承载结构连通,用于向所述第一承载结构中在线添加液态的所述高熔点金属源,且设置于与所述第一腔室隔绝的第二腔室中;所述连通管具有适于存储所述高熔点金属源的凹陷区;线圈,绕设于所述第二承载结构和所述连通管周缘,所述线圈具有在通入交变电流后加热所述第二承载结构内的所述高熔点金属源,并将所述高熔点金属源液化后在自身重力作用和真空状态下自所述第二承载结构流入所述第一承载结构中的通电状态,和在所述线圈断电后液态的所述高熔点金属源固化在所述凹陷区以封堵所述连通管的断电状态,所述第二承载结构向所述第一承载结构中在线添加所述高熔点金属源时,所述第二承载结构的液位高于所述连通管的最高点设置。
上述在线添加高熔点金属源的装置中,所述连通管包括位于所述第一腔室中的第一部分以及位于所述第二腔室中的第二部分,所述线圈绕设于所述连通管的第二部分。
上述在线添加高熔点金属源的装置中,所述第二承载结构为坩埚,所述线圈沿周向绕设于所述第二承载结构的外壁上,并将所述第二承载结构的周缘覆盖。
上述在线添加高熔点金属源的装置中,所述连通管的两端分别与所述第一承载结构的顶端以及所述第二承载结构的底端连通设置。
上述在线添加高熔点金属源的装置中,所述连通管为水平设置的S型,所述连通管的最低点靠近所述第二承载结构设置,所述连通管的最高点靠近所述第一承载结构设置。
上述在线添加高熔点金属源的装置中,所述第二承载结构的底端高于所述第一承载结构的顶端设置,且所述连通管的最高点高于所述第二承载结构的底端设置。
上述在线添加高熔点金属源的装置中,所述第二腔室的外壁与所述第一腔室的外壁连接。
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