[实用新型]清洗装置及其供液设备有效
申请号: | 201822035668.6 | 申请日: | 2018-12-05 |
公开(公告)号: | CN209626183U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 赵凯;李春燕;王亮;杜立宁;刘海阳;张飞;朱延松 | 申请(专利权)人: | 楚雄隆基硅材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 651200 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供液设备 加热箱体 保温箱体 连通阀门 连通管道 保温箱 加热箱 受液 加热 出液管道 清洗装置 入液管道 液源 连通 本实用新型 第一加热器 清洗设备 设备连通 设备输送 生产效率 连通管 供液 暂存 截止 引入 流通 | ||
本实用新型公开了清洗装置及其供液设备,所述供液设备包括加热箱、保温箱、连通管道以及连通阀门。其中,所述加热箱包括加热箱体、入液管道和设置于加热箱体内的第一加热器。所述入液管道用于使加热箱体和液源连通;保温箱包括保温箱体和出液管道,所述出液管道用于使保温箱体和受液设备连通;所述连通管道连通加热箱体和保温箱体;所述连通阀门设置于连通管道上,所述连通阀门打开或关闭以使连通管道流通或截止。所述供液设备可利用保温箱为受液设备输送预先暂存的液体的同时,利用加热箱对液源引入的液体进行加热。因此,利用所述供液设备向作为受液设备的清洗设备进行供液可以无需等待加热的流程,节省了等待加热耗费的时间,提高生产效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体材料的清洗的技术领域,尤其涉及清洗装置及其供液设备。
背景技术
目前,在硅片等半导体材料在切割及脱胶过程中,硅片等半导体材料的表面容易粘附大量的切割液、残料以及胶丝等其他物体的残留,这些残留物体会严重影响产品的品质,因此,对硅片等半导体材料的清洗工序必须使用加热后的纯水等较高温度的液体进行清洗才可以满足生产需求。
现有技术中,常常是将纯水加入到清洗机的漂洗槽内,然后再通过槽体内部的加热器对纯水加热后,才能开始为待清洗对象进行清洗,该加热过程需要耗费一定的时间,不利于提高生产效率。
实用新型内容
鉴于现有技术的不足,本实用新型提供了清洗装置及其供液设备,以解决上述问题。
为了实现上述目的,本实用新型采取了以下的技术方案:
一种供液设备,所述供液设备包括加热箱、保温箱、连通管道以及连通阀门,其中,所述加热箱包括加热箱体、入液管道和设置于所述加热箱体内的第一加热器,所述入液管道用于使所述加热箱体和液源连通;所述保温箱包括保温箱体和出液管道,所述出液管道用于使所述保温箱体和受液设备连通;所述连通管道连通所述加热箱体和所述保温箱体;所述连通阀门,设置于所述连通管道上,所述连通阀门打开或关闭,以使所述连通管道流通或截止。
优选地,所述加热箱还包括设置于所述加热箱体内的第一温度传感器;所述连通阀门根据所述第一温度传感器探测到的所述加热箱体内的液体温度是否达到预设温度来打开或关闭。
优选地,所述加热箱还包括设置于所述加热箱体内的第一低液位检测传感器和第一高液位检测传感器,所述第一低液位检测传感器于所述加热箱体内所处的高度小于所述第一高液位检测传感器于所述加热箱体内所处的高度,所述供液设备还包括设置于所述入液管道上的入液阀门,所述入液阀门根据第一低液位检测传感器或第一高液位检测传感器检测到的所述加热箱体内的液位来打开或关闭。
优选地,所述连通阀门根据第一低液位检测传感器检测到的所述加热箱体内的液位来打开或关闭。
优选地,所述保温箱还包括设置于所述保温箱体内的第二加热器。
优选地,所述保温箱还包括设置于所述保温箱体内的第二温度传感器;
所述供液设备还包括:控制器,所述控制器用于根据所述第二温度传感器探测到的所述保温箱体内的液体温度低于预设温度时控制所述第二加热器进行加热。
优选地,所述保温箱还包括设置于所述保温箱体内的第二低液位检测传感器和第二高液位检测传感器,所述第二低液位检测传感器于所述保温箱体内所处的高度小于所述第二高液位检测传感器于所述保温箱体内所处的高度。所述供液设备还包括设置于所述出液管道上的出液阀门,所述出液阀门根据第二低液位检测传感器或第二高液位检测传感器检测到的所述保温箱体内的液位来打开或关闭。
优选地,所述连通阀门根据第二低液位检测传感器或第二高液位检测传感器检测到的所述保温箱体内的液位来打开或关闭。
优选地,所述加热箱体和/或所述保温箱体上设置有溢液口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造