[实用新型]天线封装结构有效
申请号: | 201822019564.6 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN208938923U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/58 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 天线金属 天线结构 天线封装 主体层 封装层 显露 多层天线结构 本实用新型 重新布线层 堆叠设置 后续工艺 电磁波 空腔 去除 衰减 下层 投影 | ||
本实用新型提供一种天线封装结构,所述天线封装结构于重新布线层的第二面上形成位于下层的第一天线结构及位于第一天线结构上的第二天线结构,在形成第二天线结构中的第二天线金属层时,使得第二天线金属层在第一封装层上的投影可显露天线金属主体层,从而在后续工艺中,通过去除位于天线金属主体层上的第二封装层形成空腔,即可显露天线金属主体层,在形成堆叠设置的具有多层天线结构的同时,可减少天线金属层的电磁波的衰减和损耗。
技术领域
本实用新型属于半导体封装技术领域,涉及一种天线封装结构。
背景技术
随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加,特别是为了配合移动的需求,大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。
一般来说,现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面,这种做法会让天线占据额外的电路板面积,整合性较差。对于各种高科技电子产品而言,若将天线直接制作于电路板的表面,将需要具有较大体积的电路板,从而使得高科技电子产品也占据较大的体积,这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背。
随着通信信息的快速发展,5G(5th Generation)即第五代移动通信,已成为人们研究的重点。在5G高频天线中,由于天线的电磁波频率非常高,通信波长变成毫米级(毫米波),天线尺寸也缩减到了几个毫米,高频的电磁波,传播衰减也较大,尤其在天线封装方面,由于天线封装材料会造成天线电磁波频率的衰减和损耗,因此天线封装材料的选择尤为重要。为了减少高频天线的电磁波的衰减和损耗,开发一种新型的天线封装结构,用以降低天线的电磁波的衰减和损耗尤为重要。
鉴于此,有必要设计一种新型的天线封装结构,用以减少天线在封装材料中电磁波的衰减和损耗。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种天线封装结构,用于解决现有技术中天线在封装材料中电磁波的衰减和损耗的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种天线封装结构,所述封装结构包括:
重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面;
第一金属连接柱,形成于所述重新布线层的第二面上与所述重新布线层电连接;
第一封装层,覆盖所述第一金属连接柱及所述重新布线层的第二面,且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱;
第一天线金属层,形成于所述第一封装层上,所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电连接,所述第一天线金属层包括天线金属互联层及天线金属主体层;
第二金属连接柱,形成于所述天线金属互联层上;
第二封装层,覆盖所述第二金属连接柱且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱;所述第二封装层覆盖所述天线金属互联层并显露所述天线金属主体层,以在所述天线金属主体层上方形成空腔;
第二天线金属层,形成于所述第一封装层表面,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电连接,且所述第二天线金属层在所述第一封装层上的投影显露所述天线金属主体层;
金属凸块,形成于所述重新布线层的第一面上;以及
半导体芯片,接合于所述重新布线层的第一面上。
可选的,所述重新布线层的第二面上包括N层天线结构,其中N≥3。
可选的,所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间还包括底部填充层,所述底部填充层包括环氧树脂层。
可选的,所述重新布线层包括介质层及金属布线层,所述介质层包括环氧树脂层、硅胶层、PI层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层及含氟玻璃层中的一种或两种以上组合;所述金属布线层包括铜层、铝层、镍层、金层、银层及钛层中的一种或两种以上组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造