[实用新型]一种超宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 201821998696.1 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209375585U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 宋海瑞;吴建军;盖川 | 申请（专利权）人： | 南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/42;H03F1/02;H03F1/56 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 211111 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极型晶体管 本实用新型 超宽带低噪声放大器 超宽 电感 输入阻抗匹配 负反馈回路 电路结构 功率匹配 噪声匹配 噪声系数 阻抗匹配 超宽带 电阻 电路 输出 | ||
1.一种超宽带低噪声放大器，其特征在于：包括第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第三双极型晶体管Q3和第四双极型晶体管Q4，第一双极型晶体管Q1的基极连接第一电感L1的一端，第一电感L1的另一端分别连接第一电容C1的一端和第二电阻R2的一端，第一电容C1的另一端接地，第二电阻R2的另一端连接第二电容C2的一端，第二电容C2的另一端分别连接第三电感L3的一端、第四电感L4的一端以及第三双极型晶体管Q3的基极，第三电感L3的另一端连接第一双极型晶体管Q1的集电极，第一双极型晶体管Q1的发射极通过第二电感L2接地，第四电感L4的另一端通过第三电阻R3连接第二双极型晶体管Q2的发射极，第二双极型晶体管Q2的基极和集电极均输入第一供电电压VCC1，第一电感L1的另一端输入第一偏置电压Vb1，第三双极型晶体管Q3的基极输入第二偏置电压Vb2，第三双极型晶体管Q3的发射极接地，第三双极型晶体管Q3的集电极连接第四双极型晶体管Q4的发射极，第四双极型晶体管Q4的基极和集电极均输入第二供电电压VCC2，第一电感L1的另一端作为整个放大器的输入端，第三双极型晶体管Q3的集电极作为整个放大器的输出端。
2.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第一电阻R1，第一电阻R1的一端连接第二电阻R2的一端，第一电阻R1的另一端输入第一偏置电压Vb1。
3.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第四电阻R4，第四电阻R4的一端连接第三双极型晶体管Q3的基极，第四电阻R4的另一端输入第二偏置电压Vb2。
4.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第三电容C3，第三电容C3的一端连接第四电感L4的一端，第三电容C3的另一端连接第三双极型晶体管Q3的基极。
5.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第五电感L5，第五电感L5的一端连接第三双极型晶体管Q3的集电极，第五电感L5的另一端连接第四双极型晶体管Q4的发射极。
6.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第六电阻R6和第六电感L6，第六电感L6的一端连接第三双极型晶体管Q3的集电极，第六电感L6的另一端连接第六电阻R6的一端，第六电阻R6的另一端连接第四双极型晶体管Q4的发射极。
7.根据权利要求6所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第七电感L7，第七电感L7的一端连接第三双极型晶体管Q3的集电极，第七电感L7的另一端作为整个放大器的输出端。
8.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第四电容C4和第五电阻R5，第四电容C4的一端和第五电阻R5的一端均连接第三双极型晶体管Q3的发射极，第四电容C4的另一端和第五电阻R5的另一端均接地。
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