[实用新型]一种可调节流量的清洗装置有效
申请号: | 201821892406.5 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN209045497U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 赵振伟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支管道 第一端 阀门 可调节流量 清洗装置 喷嘴 主管道 本实用新型 阀门设置 晶圆表面 晶圆产品 喷嘴形状 水压冲击 有效调节 大流量 清洗水 晶面 晶圆 良率 连通 主管 | ||
本实用新型涉及一种可调节流量的清洗装置,包括主管道、第一支管道和第二支管道,所述主管道的第二端分别与所述第一支管道的第一端和所述第二支管道的第一端连通,所述主管道上设置有第一阀门,所述第一支管道的第二端设置有第一喷嘴,所述第二支管道的第二端设置有第二喷嘴,所述第一支管道还包括第二阀门,所述第二阀门设置在所述第一支管道的第一端。其优点在于,通过在第一支管道设置第二阀门,能够有效调节第一支管道的清洗水的流量,从而避免晶圆的晶面承受大流量的水压冲击,进而消除由喷嘴形状造成的晶圆表面缺陷,提高晶圆产品良率,降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种可调节流量的清洗装置。
背景技术
在半导体制造过程中,晶圆的清洗是一道非常重要且要求较高的工艺。现有的化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish,CMP)机台基本带有清洗和干燥功能。对研磨后的晶圆进行清洗以及干燥,以便在后续工序继续对晶圆进行处理。清洗晶圆的主要目的是去除研磨后的留在晶圆表面的残余物,以便更有效地进行后续工序处理。
现有的清洗方式为使用清洗水对晶圆的正面和背面同时进行高压清洗水冲洗,以便高效地去除残余物。
如图1所示,现有的清洗装置包括主管道1、第一支管道2和第二支管道3,在第一支管道2和第二支管道3的末端分别设置有第一喷嘴5和第二喷嘴6,并且主管道1上设置有控制清洗水的第一阀门4。由于第一阀门4仅控制主管道1的开闭,使得第一支管道2和第二支管道3的流量相同,进而导致第一喷嘴5对晶圆正面清洗时,由于压力过高,导致晶圆表面出现与第一喷嘴5形状相同的缺陷,进而降低晶圆良率,提高生产成本。
因此,亟需一种能够避免高压大流量的清洗水对晶圆正面冲击的清洗装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术中的不足,提供一种可调节流量的清洗装置。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案是:
一种可调节流量的清洗装置,应用于晶圆清洗,包括主管道、第一支管道和第二支管道,所述主管道的第二端分别与所述第一支管道的第一端和所述第二支管道的第一端连通,所述主管道上设置有第一阀门,所述第一支管道的第二端设置有第一喷嘴,所述第二支管道的第二端设置有第二喷嘴,
所述第一支管道还包括第二阀门,所述第二阀门设置在所述第一支管道的第一端。
优选地,所述第一支管道还包括第一流量检测装置,所述第一流量检测装置设置在所述第二阀门与所述第一喷嘴之间。
优选地,所述第一流量检测装置为流量计。
进一步地,所述第二阀门为电磁阀。
进一步地,所述第二阀门为手动阀。
优选地,所述第二支管道还包括第三阀门,所述第三阀门设置在所述第二支管道的第一端。
优选地,所述第二支管道还包括第二流量检测装置,所述第二流量检测装置设置在所述第三阀门和所述第二喷嘴之间。
优选地,所述第二流量检测装置为流量计。
优选地,所述第一喷嘴包括复数个第一小喷嘴,复数个第一小喷嘴在所述第一喷嘴上环形对称设置。
优选地,所述第一喷嘴包括六个所述第一小喷嘴,六个所述第一小喷嘴呈环形对称设置。
优选地,所述第一喷嘴包括七个所述第一小喷嘴,其中,六个所述第一小喷嘴呈环形对称设置,剩余的一个所述第一小喷嘴设置在所述第一喷嘴的中心。
优选地,所述第二喷嘴包括复数个第二小喷嘴,复数个第二小喷嘴在所述第二喷嘴上环形对称设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造