[实用新型]一种掩模版取放装置、曝光系统及光刻机

说明书

本实用新型提供了一种掩模版取放装置、曝光系统及光刻机，所述掩模版取放装置包括一对极性相反的电极板、正离子吸附组件、负离子吸附组件及一电源，所述电极板中的正极板连接于所述电源的正极，负极板连接于所述电源的负极，所述正离子吸附组件设置于所述负极板的靠近所述正极板的一端面上，所述负离子吸附组件设置于所述正极板的靠近所述负极板的一端面上，所述正离子吸附组件用于吸附所述掩模版周边的硫酸根离子，所述负离子吸附组件用于吸附所述掩模版周边的氨根离子。能够有效去除掩模版周围的硫酸根离子和氨根离子，改善了掩模版上霾斑的产生，提高了掩模版的曝光图形的质量。此外，还降低了生产成本，提高了生产产能。

技术领域

本实用新型属于半导体设备制造领域，涉及一种掩模版取放装置、曝光系统及光刻机。

背景技术

光学投影光刻是利用光学投影成像的原理，将掩模版上的图形以分步重复或步进扫描曝光的方式将高分辨力图形转移到涂胶硅片上的光学曝光过程，它和照片冲印技术类似，只是硅片取代了印相纸，电路图形的掩模版取代了底片，掩模版通常是镀有铬层的石英玻璃板，铬层根据电路图形被刻蚀成透光和不透光部分，但是掩模版存在一常见的缺陷是霾斑，霾斑通常形成于掩模版的透光区域，导致霾斑会在掩模版的每次曝光过程中被曝光到硅片上，从而影响了曝光图形质量，此外，霾斑还会随着掩模版使用时间的延长不断加深颜色并且变大，严重影响了曝光图形质量。

霾斑的形成原理如下：

在高能光子的激发下，含氨根离子和硫酸根离子的化合物与环境中的水、二氧化碳发生反应生成的盐类化合物就是霾斑。

其化学反应式为：

氨根离子和硫酸根离子来源于工作环境，即使半导体的加工制造对净化室的净化等级有一定的标准，但是仍无法避免氨根离子和硫酸根离子的存在。在目前的生产过程中，掩模版出现霾斑等缺陷是通过把掩模版返厂拆除保护膜做全面清洗来解决的，导致清洗成本高，还降低了产能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种掩模版取放装置、曝光系统及光刻机，以提高掩模版的曝光图形的质量。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种掩模版取放装置，包括一对极性相反的电极板、正离子吸附组件、负离子吸附组件及一电源，所述电极板中的正极板连接于所述电源的正极，负极板连接于所述电源的负极，所述正离子吸附组件设置于所述负极板的靠近所述正极板的一端面上，所述负离子吸附组件设置于所述正极板的靠近所述负极板的一端面上，所述正离子吸附组件用于吸附所述掩模版周边的硫酸根离子，所述负离子吸附组件用于吸附所述掩模版周边的氨根离子。

优选地，所述正离子吸附组件由正离子吸附材料组成，所述正离子吸附材料包括镁盐和磷盐。

优选地，所述负离子吸附组件由负离子吸附材料组成，所述负离子吸附材料包括Ba²⁺或Ca²⁺。

优选地，包括一组或多组成对设置的所述正、负离子吸附组件。

优选地，还包括传感器和控制器，所述传感器用于检测环境中的所述硫酸根离子或所述氨根离子，所述传感器与所述控制器通信连接，所述传感器检测到所述硫酸根离子或所述氨根离子时，所述控制器分别控制所述正、负极板通电。

优选地，所述掩模版取放装置为机械手臂或掩模版存储装置。

优选地，所述掩模版存储装置为掩模版库、掩模版盒或光刻机的掩模版缓存盒。

本实用新型还提供了一种光刻机的曝光系统，包括上述的一种掩模版取放装置。

本实用新型还提供了一种光刻机，包括上述的一种光刻机的曝光系统。